[發明專利]存儲器元件及其制造方法

在審

• 申請號: 202010018026.4
• 申請日: 2020-01-08
• 公開（公告）號: CN113053906A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 鐘曜安;裘元杰;廖廷豐;劉光文;陳光釗
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11556
• 分類號: H01L27/11556;H01L27/11524;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種存儲器元件，包括：

一襯底；

第一介電層在該襯底上方；

多層導電層與多層介電層，交替且水平設置在該襯底上；

通道柱結構，在該襯底上的該多層導電層與該多層介電層中，其中該通道柱結構的側壁與該多層導電層接觸；

第二介電層，覆蓋在該第一介電層上；以及

導電柱結構在該第一與第二介電層中，相鄰于該通道柱結構，與該多層導電層的其一接觸，其中該導電柱結構包括一襯絕緣層當作外層。

2.根據權利要求1所述的存儲器元件，其中該通道柱結構包括：

垂直于該襯底的硅柱；以及

電荷存儲層，包覆該硅柱，該電荷存儲層與該多層導電層接觸，

其中該硅柱對應每一層該導電層處提一通道。

3.根據權利要求1所述的存儲器元件，其中該電荷存儲層是氧化物/氮化物/氧化物的疊層結構。

4.根據權利要求1所述的存儲器元件，其中該導電柱結構包括：

垂直于該襯底的導電中心柱，與該多層導電層中所預定的其一接觸；以及

該襯絕緣層，包覆該導電中心柱，輔助使該導電中心柱與該通道柱結構隔離。

5.根據權利要求1所述的存儲器元件，其中該導電柱結構高于該通道柱結構。

6.一種制造存儲器元件的方法，包括：

提供一襯底；

形成第一介電層在該襯底上方；

形成多層導電層與多層介電層，交替且水平地設置在襯底上；

形成通道柱結構在襯底上且在該多層導電層與該多層介電層中，其中該通道柱結構的側壁與該多層導電層接觸；

形成第二介電層，覆蓋在該第一介電層上；以及

形成導電柱結構在該第一與第二介電層中，相鄰于該通道柱結構，與該多層導電層的其一接觸，其中該導電柱結構包括一襯絕緣層當作外層。

7.根據權利要求6所述的制造存儲器元件的方法，其中形成該通道柱結構的步驟包括：

形成柱狀凹陷在該第一介電層中，且穿過該多層導電層；

形成電荷存儲層在該柱狀凹陷的側壁，其中該電荷存儲層與該多層導電層接觸；以及

形成硅柱填入該柱狀凹陷在該電荷存儲層上，其中該硅柱對應每一層該導電層處提供一通道區域。

8.根據權利要求6所述的制造存儲器元件的方法其中該電荷存儲層是氧化物/氮化物/氧化物的疊層結構。

9.根據權利要求6所述的制造存儲器元件的方法，其中形成該導電柱結構的步驟包括：

形成柱狀凹陷在該第一與第二介電層中，且延伸到該多層導電層中所預定的其一；

形成該襯絕緣層在該柱狀凹陷的側壁；以及

將導電材料填滿該柱狀凹陷形成導電中心柱，與該多導電層中所預定的該其一接觸，

其中該襯絕緣層是包覆該導電材料，也提供該導電材料與該通道柱結構的隔離。

10.根據權利要求6所述的制造存儲器元件的方法，其中該導電柱結構高于該通道柱結構。