[發(fā)明專利]一種互連器及封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010017383.9
• 申請日: 2020-01-08
• 公開（公告）號: CN111211111B
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何永松;顧東華
• 申請（專利權(quán)）人: 上海燧原智能科技有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L23/552;H01L25/065
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種互連器，其特征在于，包括：基底，以及設(shè)置于所述基底一側(cè)的呈層疊設(shè)置的多層導(dǎo)電層和多層絕緣層；相鄰兩層所述導(dǎo)電層之間設(shè)置有所述絕緣層；

其中，相鄰的兩層所述導(dǎo)電層包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層；

所述第一導(dǎo)電層包括：第一電磁屏蔽圖案和多條信號傳輸線，所述第一電磁屏蔽圖案包括多個(gè)第一電磁屏蔽部，所述第一電磁屏蔽部位于所述多條信號傳輸線之間，所述第一電磁屏蔽部與所述信號傳輸線的延伸方向相同；所述第一導(dǎo)電層中的第一電磁屏蔽部和信號傳輸線平行交替排列；

所述第二導(dǎo)電層包括第二電磁屏蔽圖案，所述第二電磁屏蔽圖案的第一部分與所述信號傳輸線沿垂直于所述基底的方向相對，所述第二電磁屏蔽圖案的第二部分與所述第一電磁屏蔽部沿垂直于所述基底的方向相對；

所述第一電磁屏蔽部通過多個(gè)過孔與所述第二電磁屏蔽圖案的第二部分電連接，所述多個(gè)過孔沿所述信號傳輸線的延伸方向排布；

所述信號傳輸線的傳輸速度大于每秒1000兆位；

所述多層導(dǎo)電層包括至少兩層第一導(dǎo)電層和至少一層第二導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層交替層疊設(shè)置；

所述第二電磁屏蔽圖案呈網(wǎng)格狀；

在相鄰的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層中，呈網(wǎng)格狀的第二電磁屏蔽圖案的鏤空區(qū)與相鄰的信號傳輸線和第一電磁屏蔽部之間的間隙沿垂直于基底的方向相對，信號傳輸線與呈網(wǎng)格狀的第二電磁屏蔽圖案的兩排鏤空區(qū)之間的非鏤空區(qū)沿垂直于基底的方向相對。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連器，其特征在于，相鄰的兩層所述第一導(dǎo)電層的信號傳輸線沿垂直于所述基底的方向不重疊，相鄰的兩層所述第一導(dǎo)電層中，其中一層第一導(dǎo)電層的至少一條信號傳輸線在另一層第一導(dǎo)電層上的投影，位于所述另一層第一導(dǎo)電層的多條信號傳輸線之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連器，其特征在于，相鄰的兩層所述第一導(dǎo)電層的信號傳輸線沿垂直于所述基底的方向正對。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連器，其特征在于，任一所述第一電磁屏蔽部與所述第二電磁屏蔽圖案的第二部分電連接的多個(gè)過孔呈陣列排布，所述陣列的行方向平行于所述信號傳輸線的延伸方向，所述陣列的列方向垂直于所述信號傳輸線的延伸方向，所述多個(gè)過孔呈一行或多行排布。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連器，其特征在于，還包括多個(gè)第一焊盤，位于所述多層導(dǎo)電層和多層絕緣層遠(yuǎn)離所述基底的一側(cè)，所述信號傳輸線的兩端通過過孔與兩個(gè)所述第一焊盤電連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連器，其特征在于，還包括多個(gè)第二焊盤，位于所述基底遠(yuǎn)離所述多層導(dǎo)電層和多層絕緣層的一側(cè)，所述第二焊盤通過過孔與靠近所述基底的第一導(dǎo)電層的第一電磁屏蔽圖案電連接。

7.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：多顆芯片和如權(quán)利要求1-6任一所述的互連器，所述多顆芯片位于所述互連器的一側(cè)，所述多顆芯片臨近所述多層導(dǎo)電層和多層絕緣層，所述多顆芯片通過所述互連器中的信號傳輸線電連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多顆芯片包括第一芯片、第二芯片和第三芯片；

所述第二芯片位于所述第一芯片和所述第三芯片之間，所述多層導(dǎo)電層包括四層第一導(dǎo)電層和三層第二導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層交替層疊設(shè)置；

所述第一芯片通過遠(yuǎn)離所述基底的兩層第一導(dǎo)電層中的信號傳輸線與所述第二芯片電連接；所述第一芯片通過靠近所述基底的兩層第一導(dǎo)電層中的信號傳輸線與所述第三芯片電連接；或者，所述第一芯片通過靠近所述基底的兩層第一導(dǎo)電層中的信號傳輸線與所述第二芯片電連接；所述第一芯片通過遠(yuǎn)離所述基底的兩層第一導(dǎo)電層中的信號傳輸線與所述第三芯片電連接；

與所述第三芯片電連接的信號傳輸線遠(yuǎn)離所述第三芯片的一端，相對于與所述第二芯片電連接的信號傳輸線遠(yuǎn)離所述第二芯片的一端，靠近所述第三芯片。