[發明專利]感光裝置

在審

• 申請號: 202010017269.6
• 申請日: 2020-01-08
• 公開（公告）號: CN113097236A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 謝承聿
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種感光裝置，其包括半導體基底與光電二極管。半導體基底具有圖案化的半導體偏光結構。圖案化的半導體偏光結構具有半導體表面。光電二極管在半導體基底中。

技術領域

本發明涉及一種感光裝置，且特別是涉及一種具有半導體偏光結構的感光裝置。

背景技術

隨著計算機和通訊工業的發展，高效率的感光裝置例如影像傳感器的需求隨之增加，其可應用在各種領域，例如數字相機、攝錄影機、個人通訊系統、游戲元件、監視器、醫療用的微相機、機器人等。

背照式影像傳感器為現今一種常見的高效率影像感測裝置，且由于背照式影像傳感器可以整合于傳統的半導體制作工藝制作，因此具有制作成本較低、元件尺寸較小以及集成度較高的優點。此外，背照式影像傳感器還具有低操作電壓、低功率消耗、高量子效率(quantum efficiency)、低噪聲(read-out noise)以及可根據需要進行隨機存取(randomaccess)等優勢，因此已廣泛應用在現有的電子產品上。

隨著元件尺寸的持續縮小以及半導體制作工藝的進步，背照式影像傳感器的尺寸日益微縮。但是，除了尺寸要求之外，背照式影像傳感器更面臨光電轉換效率(photo-electric conversion efficiency)、靈敏度(sensitivity)、低噪聲(noise)等要求。

發明內容

本發明的目的在于提供一種感光裝置，以解決上述問題。

根據本發明的一概念，提出一種感光裝置，其包括半導體基底與光電二極管。半導體基底具有圖案化的半導體偏光結構。圖案化的半導體偏光結構具有半導體表面。光電二極管在半導體基底中。

根據本發明的另一概念，提出一種感光裝置，其包括光電二極管、反射性網狀元件及圖案化的半導體偏光結構。光電二極管與反射性網狀元件是分別在圖案化的半導體偏光結構的相反側上。

為了對本發明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉實施例，并配合所附的附圖詳細說明如下：

附圖說明

圖1為一實施例的感光裝置的剖面示意圖；

圖2為一實施例的一偏光區的部分半導體基底的立體示意圖；

圖3為另一實施例的一偏光區的部分半導體基底的立體示意圖；

圖4為一實施例的四個像素中圖案化的半導體偏光結構的條狀部分的分布；

圖5為另一實施例的四個像素中圖案化的半導體偏光結構的條狀部分的分布。

具體實施方式

以下是以一些實施例做說明。需注意的是，本發明并非顯示出所有可能的實施例，未于本發明提出的其他實施態樣也可能可以應用。再者，附圖上的尺寸比例并非按照實際產品等比例繪制。因此，說明書和圖示內容僅作敘述實施例之用，而非作為限縮本發明保護范圍之用。另外，實施例中的敘述，例如細部結構、制作工藝步驟和材料應用等等，僅為舉例說明之用，并非對本發明欲保護的范圍做限縮。實施例的步驟和結構各的細節可在不脫離本發明的精神和范圍內根據實際應用制作工藝的需要而加以變化與修飾。以下是以相同/類似的符號表示相同/類似的元件做說明。