[發明專利]感光裝置在審
| 申請號: | 202010017269.6 | 申請日: | 2020-01-08 |
| 公開(公告)號: | CN113097236A | 公開(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發明(設計)人: | 謝承聿 | 申請(專利權)人: | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 感光 裝置 | ||
1.一種感光裝置,其特征在于,包括:
半導體基底,具有圖案化的半導體偏光結構,該圖案化的半導體偏光結構具有半導體表面;及
光電二極管,在該半導體基底中。
2.如權利要求1所述的感光裝置,其中該圖案化的半導體偏光結構具有數個條狀部分,該些條狀部分在一延伸方向上連續延伸。
3.如權利要求1所述的感光裝置,其中該圖案化的半導體偏光結構具有數個條狀部分,該些條狀部分在不同延伸方向上連續延伸。
4.如權利要求1所述的感光裝置,其中該圖案化的半導體偏光結構具有數個偏光區,該些偏光區具有不同的偏光方向。
5.如權利要求4所述的感光裝置,包括數個像素,具有該些不同偏光方向的該些偏光區。
6.如權利要求4所述的感光裝置,包括數個像素,各具有該些不同偏光方向的該些偏光區的其中一個偏光區。
7.如權利要求4所述的感光裝置,包括數個像素,各具有該些不同偏光方向的該些偏光區的其中二個以上偏光區。
8.如權利要求4所述的感光裝置,包括數個像素,各具有該些不同偏光方向的該些偏光區的其中四個偏光區。
9.如權利要求1所述的感光裝置,其中該半導體基底具有相對的背半導體表面與前半導體表面,該圖案化的半導體偏光結構的該半導體表面是該背半導體表面。
10.如權利要求1所述的感光裝置,還包括反射性網狀元件,在該圖案化的半導體偏光結構的光入射側上。
11.如權利要求1所述的感光裝置,還包括光學層,在該圖案化的半導體偏光結構的該半導體表面上。
12.如權利要求11所述的感光裝置,其中該光學層具有下表面,互補于該圖案化的半導體偏光結構的該半導體表面。
13.如權利要求1所述的感光裝置,還包括透鏡,在該圖案化的半導體偏光結構的光入射側上。
14.如權利要求1所述的感光裝置,還包括溝槽隔離元件,在該半導體基底中。
15.一種感光裝置,其特征在于,包括:
光電二極管;
反射性網狀元件;及
圖案化的半導體偏光結構,其中該光電二極管與該反射性網狀元件是分別在該圖案化的半導體偏光結構的相反側上。
16.如權利要求15所述的感光裝置,其中該反射性網狀元件是在該圖案化的半導體偏光結構的光入射側上。
17.如權利要求15所述的感光裝置,其中該反射性網狀元件包含金屬。
18.如權利要求15所述的感光裝置,包括半導體基底,其中該半導體基底包括該圖案化的半導體偏光結構。
19.如權利要求18所述的感光裝置,其中該圖案化的半導體偏光結構具有該半導體基底的背半導體表面。
20.如權利要求15所述的感光裝置,其中該圖案化的半導體偏光結構具有數個條狀部分,該些條狀部分分別在不同的偏光區中以不同的延伸方向連續延伸。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





