[發(fā)明專利]發(fā)光裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010017160.2 | 申請(qǐng)日： | 2020-01-08 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111883627A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-11-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 胡順源;丁景隆;高克毅;毛立維 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 群創(chuàng)光電股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L33/48 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L33/48;H01L33/58;H01L25/075 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 駱希聰 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 裝置 | ||
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N發(fā)光裝置，包括發(fā)光單元以及光學(xué)層。發(fā)光單元包括發(fā)光芯片以及設(shè)置在發(fā)光芯片上的封裝結(jié)構(gòu)。光學(xué)層設(shè)置在發(fā)光單元上，具有在發(fā)光裝置的俯視方向上與發(fā)光芯片重疊的第一區(qū)域，以及在發(fā)光裝置的俯視方向上與發(fā)光芯片不重疊的第二區(qū)域，其中第一區(qū)域的穿透率小于第二區(qū)域的穿透率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)實(shí)施例是關(guān)于一種發(fā)光裝置，且特別關(guān)于一種發(fā)光二極管發(fā)光裝置。
背景技術(shù)
近年來(lái)，發(fā)光二極管(light-emitting diode，LED)被廣泛地應(yīng)用，但仍有問(wèn)題需要被克服，例如出光強(qiáng)度隨視角衰退過(guò)快等問(wèn)題。因此，發(fā)展出能夠進(jìn)一步提升發(fā)光二極管效能的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)仍為目前業(yè)界致力研究的課題之一。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N發(fā)光裝置，包括發(fā)光單元以及光學(xué)層。所述發(fā)光單元包括發(fā)光芯片以及設(shè)置在發(fā)光芯片上的封裝結(jié)構(gòu)。所述光學(xué)層設(shè)置在發(fā)光單元上，具有在發(fā)光裝置的俯視方向上與發(fā)光芯片重疊的第一區(qū)域，以及在發(fā)光裝置的俯視方向上與發(fā)光芯片不重疊的第二區(qū)域，其中第一區(qū)域的穿透率小于第二區(qū)域的穿透率。
附圖說(shuō)明
為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作詳細(xì)說(shuō)明，其中：
圖1A是本申請(qǐng)一些實(shí)施例的發(fā)光裝置一些元件的示意圖。
圖1B及圖1C顯示根據(jù)本申請(qǐng)一些實(shí)施例中的發(fā)光芯片的剖面示意圖。
圖2A與圖2B是本申請(qǐng)中發(fā)光單元的出光強(qiáng)度與視角關(guān)系的示意圖。
圖3A至圖3C是本申請(qǐng)一些實(shí)施例的發(fā)光裝置的示意圖。
圖4是本申請(qǐng)一些實(shí)施例的示意圖。
圖5A至圖5D是本申請(qǐng)一些實(shí)施例的俯視圖。
圖6A與圖6B是本申請(qǐng)一些實(shí)施例的俯視圖。
圖7是本申請(qǐng)一些實(shí)施例的示意圖。
圖8是本申請(qǐng)一些實(shí)施例的光學(xué)層在不同位置的反射率的示意圖。
圖9A與圖9B是本申請(qǐng)一些實(shí)施例的發(fā)光裝置一些元件的示意圖。
圖10A至圖10E是本申請(qǐng)一些實(shí)施例的發(fā)光裝置一些元件的示意圖。
圖11是本申請(qǐng)一些實(shí)施例的發(fā)光裝置一些元件的示意圖。
圖12是本申請(qǐng)一些實(shí)施例的發(fā)光裝置一些元件的示意圖。
圖中元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明：
1、2A、2B、2C、3A、3B、4A、4B、4C、4D、4E、5、6發(fā)光裝置
10、12基板
20、20A、20B、20C發(fā)光單元
22封裝基板
24、25封裝結(jié)構(gòu)
26發(fā)光芯片組
26A、26B、26C、27發(fā)光芯片
30、30A、30B、30C、30D、30E光學(xué)層
31A、31B光學(xué)材料
32A、32B、32C孔洞
34A、34B、34C、36A、36B、36C縫隙
38A、38B、38C擋光圖案
40光學(xué)膜片
42顯示層
44波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
