[發(fā)明專利]發(fā)光裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010017160.2 | 申請日： | 2020-01-08 |
| 公開（公告）號： | CN111883627A | 公開（公告）日： | 2020-11-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 胡順源;丁景隆;高克毅;毛立維 | 申請（專利權(quán)）人： | 群創(chuàng)光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/58;H01L25/075 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 駱希聰 |
| 地址： | 中國臺(tái)灣新竹科學(xué)工*** | 國省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 裝置 | ||
1.一種發(fā)光裝置，包括：
一發(fā)光單元，包括一發(fā)光芯片以及設(shè)置在該發(fā)光芯片上的一封裝結(jié)構(gòu)；以及
一光學(xué)層，設(shè)置在該發(fā)光單元上，其中該光學(xué)層具有在該發(fā)光裝置的一俯視方向上與該發(fā)光芯片重疊的一第一區(qū)域，以及在該發(fā)光裝置的該俯視方向上與該發(fā)光芯片不重疊的一第二區(qū)域，且該第一區(qū)域的穿透率小于該第二區(qū)域的穿透率。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該光學(xué)層包括多個(gè)孔洞，且該多個(gè)孔洞在該第一區(qū)域的面積密度小于該多個(gè)孔洞在該第二區(qū)域的面積密度。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該光學(xué)層包括多個(gè)擋光圖案，且該多個(gè)擋光圖案在該第一區(qū)域的面積密度大于該多個(gè)擋光圖案在該第二區(qū)域的面積密度。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該第一區(qū)域的厚度大于該第二區(qū)域的厚度。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該光學(xué)層包括一金屬材料。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該金屬材料包括銀、鋁、金、鎳及其組合。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該光學(xué)層包括一復(fù)合材料，且該復(fù)合材料包括TiO2、SiO2、Nb2O5、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、Y2O3、MgO及其組合。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該光學(xué)層為一布拉格反射鏡。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該發(fā)光單元更包括另一個(gè)發(fā)光芯片。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其特征在于，該另一個(gè)發(fā)光芯片與該發(fā)光芯片所發(fā)出的光的顏色不同。
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