[發(fā)明專利]研磨頭及研磨裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010016801.2
• 申請(qǐng)日: 2020-01-07
• 公開（公告）號(hào): CN111434458A
• 公開（公告）日: 2020-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林智雄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社V技術(shù)
• 主分類號(hào): B24B37/11
• 分類號(hào): B24B37/11;B24B37/20;B24B37/34;H01L21/67
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 佟勝男

本發(fā)明提供一種能夠使晶片的周緣部不被過度研磨的研磨頭以及研磨裝置。在背襯件的下方設(shè)置有在中空部收容晶片的大致圓環(huán)形狀的晶片保持部，在無負(fù)載狀態(tài)下晶片保持部的厚度為晶片的厚度以上。晶片保持部具有由不會(huì)彈性變形的材料形成且厚度為晶片的厚度以下的大致圓環(huán)形狀的框部、以及由能夠彈性變形的材料形成的大致圓環(huán)形狀的緩沖件，緩沖件粘接或者貼附于所述背襯件，框部粘接或者貼附于所述緩沖件。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及研磨頭及研磨裝置。

背景技術(shù)

在專利文獻(xiàn)1中公開有如下一種無蠟安裝式研磨裝置，該無蠟安裝式研磨裝置在背部襯墊(back pad)的中央部的表側(cè)利用與背部襯墊相同的原材料一體形成大致圓形狀的中央部分背部襯墊，在模板的孔部?jī)?nèi)使背部襯墊的中央部比背部襯墊的外周部朝向研磨布突出規(guī)定高度d，在該狀態(tài)下進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的研磨。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2008-60598號(hào)公報(bào)

圖19是示意性表示專利文獻(xiàn)1所記載的研磨裝置100的圖。近年來，如研磨裝置100那樣，使用將在中空部設(shè)置晶片W的模板(保持環(huán))103與背襯件102一體化而得到的研磨頭101。在這種一體型的研磨頭101中，晶片W的背面抵接于在研磨頭101設(shè)置的背襯件102，同時(shí)且以相同的力按壓晶片W和模板103。

然而，在圖19所示那樣的一體型的研磨頭中，模板103比晶片W薄，且晶片W的表面比模板103向研磨墊104側(cè)突出，因此存在在晶片W的周緣部處研磨壓力增加，導(dǎo)致晶片W的周緣部相比于晶片W的中央部分被過度研磨這一問題(邊緣塌邊(edge roll off))。例如，在研磨200mm的晶片的情況下，在晶片的最外側(cè)的5mm～10mm的范圍內(nèi)晶片被過度研磨。其結(jié)果是，晶片的周緣部變得比其他部分薄而平坦性惡化，無法從晶片的周緣部制造集成電路，成品率降低。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題

本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種使晶片的周緣部不被過度研磨的研磨頭以及研磨裝置。

用于解決課題的方案

為了解決上述課題，本發(fā)明的研磨頭例如一邊保持晶片的背面，一邊將所述晶片的表面按壓于在平臺(tái)上設(shè)置的研磨墊而對(duì)所述晶片進(jìn)行研磨，所述研磨頭的特征在于，具備：模板，其具有：大致圓板形狀的背襯件，其供所述晶片的背面抵接；以及大致圓環(huán)形狀的晶片保持部，其設(shè)置于所述背襯件的供所述晶片抵接的面，能夠在中空部收容所述晶片；以及頭主體部，其供所述背襯件的不與所述晶片抵接的面抵接，所述晶片保持部具有由不會(huì)彈性變形的材料形成且厚度為所述晶片的厚度以下的大致圓環(huán)形狀的框部、以及由能夠彈性變形的材料形成的大致圓環(huán)形狀的緩沖件，所述緩沖件粘接或者貼附于所述背襯件，所述框部粘接或者貼附于所述緩沖件。

根據(jù)本發(fā)明的研磨頭，模板設(shè)置于頭主體部，該模板在背襯件的下方設(shè)置有在中空部收容晶片的大致圓環(huán)形狀的晶片保持部。晶片保持部具有由不會(huì)彈性變形的材料形成且厚度為晶片的厚度以下的大致圓環(huán)形狀的框部、以及由能夠彈性變形的材料形成的大致圓環(huán)形狀的緩沖件，緩沖件粘接或者貼附于背襯件，框部粘接或者貼附于緩沖件。如此，緩沖件、背襯件彈性變形，使晶片保持部的厚度與晶片W的厚度大致一致，從而能夠使晶片的周緣部不被過度研磨。