[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置以及其形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010016761.1
• 申請日: 2020-01-08
• 公開（公告）號: CN113097075A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅熙凱;賴明宏
• 申請（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/488
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 趙平;周永君

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置以及其形成方法，該形成方法包含以下步驟：提供半導(dǎo)體襯底；形成焊墊層于半導(dǎo)體襯底上；形成第一鈍化層于焊墊層上；形成第二鈍化層于第一鈍化層上，其中第二鈍化層包含多晶硅；形成氧化層于第二鈍化層上；形成氮化層于氧化層上；移除氧化層的一部分以及氮化層的一部分，以暴露出第二鈍化層的一部分；移除經(jīng)暴露的該第二鈍化層的一部分，以暴露出第一鈍化層的一部分；以及移除經(jīng)暴露的第一鈍化層的一部分，以暴露出焊墊層的一部分。本發(fā)明能夠有效改善作為頂部金屬層的焊墊層的良品率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置以及其形成方法，且特別是有關(guān)于半導(dǎo)體裝置的焊墊層以及其形成方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷快速成長，集成電路設(shè)計與材料的科技發(fā)展生產(chǎn)了數(shù)世代的集成電路，其中每個世代具備比上個世代更小及更復(fù)雜的電路。集成電路廣泛地應(yīng)用于消費(fèi)性電子產(chǎn)品中，例如，個人電腦、智慧型手機(jī)或平板電腦等。

一般而言，半導(dǎo)體集成電路裝置具有與外部電子元件電連接的焊墊結(jié)構(gòu)，由于焊墊結(jié)構(gòu)在封裝工藝完成之前通常會暴露于環(huán)境之中一段時間，若工藝中有化學(xué)物質(zhì)殘留于焊墊結(jié)構(gòu)上，化學(xué)物質(zhì)與環(huán)境中的空氣或水氣反應(yīng)，將更容易導(dǎo)致焊墊結(jié)構(gòu)的氧化或腐蝕，進(jìn)而降低最終產(chǎn)品的良品率。

雖然現(xiàn)存的焊墊結(jié)構(gòu)的形成方法可大致滿足它們原先預(yù)定的用途，但其仍未在各個方面皆徹底地符合需求。因此，發(fā)展出能夠進(jìn)一步改善焊墊結(jié)構(gòu)的良品率的工藝，仍為目前業(yè)界致力研究的課題之一。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例，提供一種半導(dǎo)體裝置的形成方法，包含以下步驟：提供半導(dǎo)體襯底(substrate)；形成焊墊層于半導(dǎo)體襯底上；形成第一鈍化層于焊墊層上；形成第二鈍化層于第一鈍化層上，其中第二鈍化層包含多晶硅；形成氧化層于第二鈍化層上；形成氮化層于氧化層上；移除氧化層的一部分以及氮化層的一部分，以暴露出第二鈍化層的一部分；移除經(jīng)暴露的該第二鈍化層的一部分，以暴露出第一鈍化層的一部分；以及移除經(jīng)暴露的第一鈍化層的一部分，以暴露出焊墊層的一部分。

根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例，提供一種半導(dǎo)體裝置，包含：半導(dǎo)體襯底、焊墊層、第一鈍化層、第二鈍化層、氧化層以及氮化層。焊墊層位于半導(dǎo)體襯底上，第一鈍化層位于焊墊層上，第二鈍化層位于第一鈍化層上，其中第二鈍化層包含多晶硅，氧化層位于第二鈍化層上，且氮化層位于氧化層上。此外，半導(dǎo)體裝置還包含開口，其貫穿第一鈍化層、第二鈍化層、氧化層以及氮化層，且暴露出焊墊層的頂表面。

為讓本發(fā)明的特征、或優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1A至圖1G顯示根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置于其形成方法中各階段的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。

符號說明

10 半導(dǎo)體裝置；

102 半導(dǎo)體襯底；

104 焊墊層；

104t 頂表面；

106 第一鈍化層；

106t 頂表面；

108 第二鈍化層；

108t 頂表面；

110 氧化層；

110s 側(cè)壁；

112 氮化層；

112s 側(cè)壁；

202 開口；

C₁ 清潔工藝；

E₁ 第一刻蝕工藝；