[發明專利]半導體裝置以及其形成方法

在審

• 申請號: 202010016761.1
• 申請日: 2020-01-08
• 公開（公告）號: CN113097075A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 羅熙凱;賴明宏
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/488
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 趙平;周永君

1.一種半導體裝置的形成方法，其特征在于，包括：

提供一半導體襯底；

形成一焊墊層于所述半導體襯底上；

形成一第一鈍化層于所述焊墊層上；

形成一第二鈍化層于所述第一鈍化層上，其中所述第二鈍化層包括多晶硅；

形成一氧化層于所述第二鈍化層上；

形成一氮化層于所述氧化層上；

移除所述氧化層的一部分以及所述氮化層的一部分，以暴露出所述第二鈍化層的一部分；

移除經暴露的所述第二鈍化層的一部分，以暴露出所述第一鈍化層的一部分；以及

移除經暴露的所述第一鈍化層的一部分，以暴露出所述焊墊層的一部分。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，移除所述氧化層的一部分以及所述氮化層的一部分是藉由一第一刻蝕工藝進行，所述第一刻蝕工藝包括使用一第一刻蝕氣體，且所述第一刻蝕氣體包括四氟化碳。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，還包括藉由一清潔工藝移除所述第一刻蝕工藝產生于所述氧化層及所述氮化層的側壁上的一高分子副產物，其中所述清潔工藝包括使用一堿性溶液。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，移除經暴露的所述第二鈍化層的一部分是藉由一第二刻蝕工藝進行，所述第二刻蝕工藝包括使用一第二刻蝕氣體，且所述第二刻蝕氣體包括溴化氫。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，所述第二刻蝕氣體不包括四氟化碳。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，移除經暴露的所述第一鈍化層的一部分是藉由一第三刻蝕工藝進行，所述第三刻蝕工藝包括使用一第三刻蝕氣體，且所述第三刻蝕氣體包括氯氣，且在移除經暴露的所述第一鈍化層的一部分之后，藉由一清潔工藝清除所述第三刻蝕工藝殘留的氯氣，且所述清潔工藝是原位進行。

7.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

一半導體襯底；

一焊墊層，位于所述半導體襯底上；

一第一鈍化層，位于所述焊墊層上；

一第二鈍化層，位于所述第一鈍化層上，其中所述第二鈍化層包括多晶硅；

一氧化層，位于所述第二鈍化層上；以及

一氮化層，位于所述氧化層上；

其中一開口貫穿所述第一鈍化層、所述第二鈍化層、所述氧化層以及所述氮化層，且暴露出所述焊墊層的一頂表面。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二鈍化層的厚度的范圍介于20nm至100nm之間。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，所述焊墊層為所述半導體裝置的一最頂部金屬層。

10.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一鈍化層的材料包括氮化鈦，所述焊墊層的材料包括鋁、銅、鎢、鋁合金、銅合金、鎢金、或前述的組合。