[發明專利]陣列基板的制備方法及陣列基板

在審

• 申請號: 202010015182.5
• 申請日: 2020-01-07
• 公開（公告）號: CN111081633A
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發明（設計）人: 呂曉文
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 刁文魁

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一基板，所述基板包括顯示區和非顯示區；

在所述基板上形成圖案化的第一金屬層；

在所述圖案化的第一金屬層上形成絕緣層；

在所述絕緣層位于所述非顯示區的部分上形成圖案化的第一半導體層，所述第一半導體層的材料為非晶硅或低溫多晶硅；

在所述絕緣層位于所述顯示區的部分上形成圖案化的第二半導體層，所述第二半導體層的材料為金屬氧化物或低溫多晶硅；

在所述圖案化的第一半導體層和所述圖案化的第二半導體層上形成圖案化的第二金屬層；

其中，位于所述非顯示區的所述圖案化的第一金屬層、所述絕緣層和所述圖案化的第二金屬層，以及所述圖案化的第一半導體層形成GOA驅動電路；位于所述顯示區的所述圖案化的第一金屬層、所述絕緣層和所述圖案化的第二金屬層，以及所述圖案化的第二半導體層形成像素電路。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一半導體層的材料為非晶硅。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第二半導體層的材料為金屬氧化物。

4.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在所述絕緣層位于所述非顯示區的部分上形成圖案化的第一半導體層的步驟，包括：

采用氣相沉積工藝在所述絕緣層位于所述非顯示區的部分上形成第一半導體層；

對所述第一半導體層進行刻蝕處理，以形成圖案化的所述第一半導體層。

5.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在所述絕緣層位于所述顯示區的部分上形成圖案化的第二半導體層的步驟，包括：

采用氣相沉積工藝在所述絕緣層位于所述顯示區的部分上形成第二半導體層；

對所述第二半導體層進行刻蝕處理，以形成圖案化的所述第二半導體層。

6.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在所述基板上形成圖案化的第一金屬層的步驟，包括：

采用氣相沉積工藝在所述基板上形成第一金屬層；

對所述第一金屬層進行刻蝕處理，以形成圖案化的所述第一金屬層，所述圖案化的所述第一金屬層包括柵極。

7.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在所述圖案化的第一半導體層和所述圖案化的第二半導體層上形成圖案化的第二金屬層的步驟，包括：

采用氣相沉積工藝在所述圖案化的第一半導體層和所述圖案化的第二半導體層上形成第二金屬層；

對所述第二金屬層進行刻蝕處理，以形成圖案化的所述第二金屬層，所述圖案化的所述第二金屬層包括源極和漏極。

8.根據權利要求1所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述在所述圖案化的第一半導體層和所述圖案化的第二半導體層上形成圖案化的第二金屬層的步驟之后，還包括：

在所述圖案化的所述第二金屬層上形成保護層，所述保護層覆蓋所述第一半導體層和所述第二半導體層。