[發(fā)明專利]一種導(dǎo)電膜的修補(bǔ)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010015177.4
• 申請(qǐng)日: 2020-01-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113151813B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉麟躍;基亮亮;周小紅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州維業(yè)達(dá)科技有限公司;維業(yè)達(dá)科技（江蘇）有限公司
• 主分類號(hào): C23C18/40
• 分類號(hào): C23C18/40;C23C18/28
• 代理公司: 上海波拓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264
• 代理人: 蔡光仟

1.一種導(dǎo)電膜的修補(bǔ)方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一待修補(bǔ)的導(dǎo)電膜，所述導(dǎo)電膜包括基膜、位于所述基膜上的結(jié)構(gòu)層和導(dǎo)電網(wǎng)格，所述結(jié)構(gòu)層設(shè)有圖形凹槽，所述導(dǎo)電網(wǎng)格由金屬材料填充在所述圖形凹槽中制作形成，所述金屬材料包括銀或者金，所述導(dǎo)電網(wǎng)格的厚度為2～4μm；

對(duì)所述導(dǎo)電膜進(jìn)行敏化處理；

將敏化處理后的所述導(dǎo)電膜置于化學(xué)銅鍍液中；

在攪拌條件下加入還原液；

靜置，在所述導(dǎo)電網(wǎng)格表面形成沉積銅層，所述沉積銅層還填充在所述導(dǎo)電網(wǎng)格中斷路不良的間隙處，所述沉積銅層的厚度為1~3μm，所述導(dǎo)電網(wǎng)格和沉積銅層的總厚度小于圖形凹槽的深度；

對(duì)所述導(dǎo)電膜進(jìn)行敏化處理的步驟具體為，向所述導(dǎo)電膜設(shè)有所述導(dǎo)電網(wǎng)格的一側(cè)噴灑敏化液，噴灑3~5min后用純水清洗；所述敏化液包括質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%~5%的氯化亞錫和質(zhì)量分?jǐn)?shù)為4%~8%的氯化氫，所述化學(xué)銅鍍液的pH值為10~12；

所述化學(xué)銅鍍液包括質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1.2~2%的硫酸銅和質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1.0~1.8%的酒石酸鉀鈉；

在攪拌條件下加入還原液的步驟具體為，對(duì)所述化學(xué)銅鍍液進(jìn)行攪拌，加入甲醛溶液進(jìn)行混合，制得甲醛質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1.0~1.8%的混合化學(xué)溶液。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述化學(xué)銅鍍液包括pH調(diào)節(jié)劑。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電膜的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述pH調(diào)節(jié)劑選自氫氧化鈉或氫氧化鉀中的一種或多種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述靜置步驟的條件為，在30~60℃下靜置10~120min。