[發(fā)明專利]一種高純硒的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010013590.7
• 申請(qǐng)日: 2020-01-07
• 公開（公告）號(hào): CN111039265A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊斌;查國(guó)正;蔣文龍;徐寶強(qiáng);劉大春;孔祥峰;羅歡;黃大鑫;郭新宇;鄧聚海;陳秀敏;李一夫;郁青春;楊紅衛(wèi);田陽;鄧勇;王飛;熊恒;楊佳;吳鑒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆明理工大學(xué)
• 主分類號(hào): C01B19/02
• 分類號(hào): C01B19/02
• 代理公司: 北京方圓嘉禾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11385
• 代理人: 朱玲艷

本發(fā)明屬于冶金提純技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種高純硒的制備方法。本發(fā)明提供了一種高純硒的制備方法，包括以下步驟：將粗硒渣進(jìn)行調(diào)漿，得到硒泥漿；所述粗硒渣中Se的質(zhì)量百分含量為60～95％；將所述硒泥漿進(jìn)行pH值調(diào)節(jié)后加入氧化劑至氧化電位，依次進(jìn)行沉淀反應(yīng)和過濾，得到初級(jí)硒；所述氧化電位為400～700mV；將所述初級(jí)硒進(jìn)行熔煉，得到硒熔體；將所述硒熔體進(jìn)行真空蒸餾，得到高純硒。實(shí)施例測(cè)試結(jié)果表明，使用本發(fā)明提供的方法可以直接由粗硒渣得到的高純硒，實(shí)現(xiàn)了粗硒渣中雜質(zhì)元素的高效脫除；高純硒純度達(dá)到99.9996％；方法工藝簡(jiǎn)單、易于操作和掌握。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于冶金提純技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種高純硒的制備方法。

背景技術(shù)

硒是重要的稀散金屬，宇航、原子能、太陽能、電子半導(dǎo)體以及健康領(lǐng)域等對(duì)硒需求與日俱增，硒已成為支撐高科技發(fā)展、新產(chǎn)品開發(fā)的關(guān)鍵材料，具有重要的戰(zhàn)略意義。

目前，所熟知的硒提純工藝分為物理法和化學(xué)法。常見的化學(xué)法包括硒氧化揮發(fā)-二氧化硫還原法、亞硫酸鹽循環(huán)法、硒化氫熱分解法、離子交換法和羰基化法，這些方法的共性原理是通過氧化或還原的方法將主金屬元素硒轉(zhuǎn)化為硒化物(如二氧化硒、亞硒酸鈉或硒化氫氣體等)，而后根據(jù)這些硒化物與雜質(zhì)相在物理化學(xué)性質(zhì)上的差異，采用選擇性沉淀、配合萃取或離子交換等方法使硒化物與雜質(zhì)分離，最后再經(jīng)過還原或分解，再次將硒化物轉(zhuǎn)化為單質(zhì)硒，經(jīng)過這樣多次反復(fù)提純，最終可得到符合質(zhì)量要求的高品質(zhì)硒和高純硒。這些方法都存在過程冗長(zhǎng)，產(chǎn)品直收率低，化學(xué)試劑消耗多，污染大等缺點(diǎn)。而物理法是采用真空蒸餾、區(qū)域精煉等方法，一般物理法是以99.9％或者99.99％的精硒為原料來制備99.999％以上高純硒。

中國(guó)專利CN 1283549C公開了一種真空冶煉提硒的工藝，將含硒量為20～90％的粗硒粉進(jìn)行制粒、干燥、真空蒸餾除去雜質(zhì)并提純硒，最終得到的硒產(chǎn)品中，有2～4wt.％的雜質(zhì)Te并未得到有效脫除；中國(guó)專利CN106946233B公開了一種粗硒物料真空精煉提純的方法，對(duì)粗硒物料經(jīng)熔化、脫氣及真空蒸餾工序后僅獲得了雜質(zhì)Te未達(dá)標(biāo)的99.9％精硒產(chǎn)品。

目前，針對(duì)工業(yè)級(jí)粗硒渣直接制備出高純硒的技術(shù)訴求，傳統(tǒng)提純手段高純硒直收率低，硒碲分離困難仍是領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)瓶頸。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種高純硒的制備方法。本發(fā)明提供的高純硒的制備方法，實(shí)現(xiàn)了由工業(yè)級(jí)粗硒渣直接提純得到高純硒，具有高純硒直收率高、硒純度高的特點(diǎn)，且制備方法工藝簡(jiǎn)單。

為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明的目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案：

本發(fā)明提供了一種高純硒的制備方法，包括以下步驟：

將粗硒渣進(jìn)行調(diào)漿，得到硒泥漿；所述粗硒渣中Se的質(zhì)量百分含量為60～95％；

將所述硒泥漿進(jìn)行pH值調(diào)節(jié)后加入氧化劑至氧化電位，依次進(jìn)行沉淀反應(yīng)和過濾，得到初級(jí)硒；所述氧化電位為400～700mV；

將所述初級(jí)硒進(jìn)行熔煉，得到硒熔體；

將所述硒熔體進(jìn)行真空蒸餾，得到高純硒。

優(yōu)選的，以質(zhì)量百分含量計(jì)，所述粗硒渣還包括：Te 1～10％，Cu 0.01～5％，Pb0.01～5％，H₂O 5～30％，其余為微量雜質(zhì)Fe、S、Sn、As和Ni。

優(yōu)選的，所述粗硒渣的粒徑為0.1～300μm。

優(yōu)選的，所述pH值調(diào)節(jié)至pH值為1～6。

優(yōu)選的，所述氧化劑為高錳酸鉀、次氯酸鈉、過氧化氫和二氧化錳中的一種或多種。

優(yōu)選的，所述沉淀反應(yīng)在攪拌的條件下進(jìn)行；所述攪拌的速率為30～1200rpm，時(shí)間為30～60min。

優(yōu)選的，所述熔煉的溫度為300～400℃。