[發(fā)明專利]一種基于電容陣列的芯片參數(shù)檢測方法及裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010013541.3 | 申請日： | 2020-01-07 |
| 公開（公告）號： | CN111207659A | 公開（公告）日： | 2020-05-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 霍彥明;李爭;張路成;李曉偉;谷存江 | 申請（專利權(quán)）人： | 河北科技大學(xué);石家莊輻科電子科技有限公司 |
| 主分類號： | G01B7/00 | 分類號： | G01B7/00;G01B7/31;G01B7/30;G01B7/06;G01D5/24 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120 | 代理人： | 秦敏華 |
| 地址： | 050018 *** | 國省代碼： | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 電容 陣列 芯片 參數(shù) 檢測 方法 裝置 | ||
本申請公開了一種基于電容陣列的芯片參數(shù)檢測方法及裝置，涉及電子元器件檢測領(lǐng)域。上述芯片參數(shù)檢測方法及裝置通過將待檢測芯片置于電容陣列的上極板陣列與下極板陣列之間，分別采集各個電容的電容值，得到電容值矩陣，基于電容值矩陣中目標(biāo)元素所在位置，確定待檢測芯片的中心軸線，基于中心軸線和預(yù)設(shè)的0度參考線，確定并輸出待檢測芯片的偏移角度，從而有利于貼片機(jī)根據(jù)該偏移角度對待檢測芯片進(jìn)行針對性操作，避免了限制裝置的使用，提升了芯片貼片作業(yè)的效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及電子元器件檢測領(lǐng)域，尤其涉及一種基于電容陣列的芯片參數(shù)檢測方法及裝置。
背景技術(shù)
隨著時代的發(fā)展，芯片貼片技術(shù)的發(fā)展越來越快，如何確保芯片貼片的精準(zhǔn)性和高效性漸漸成為人們研究的重點。
現(xiàn)有的芯片貼片技術(shù)中，芯片在放置的過程中常常會產(chǎn)生一定角度的偏移，且貼片機(jī)對偏移的芯片進(jìn)行識別、貼片的效果并不好，故會在貼片機(jī)對芯片進(jìn)行操作前，采用限制裝置對芯片的位置進(jìn)行限制，即便如此，芯片仍會產(chǎn)生一定角度的偏移，且采用限制裝置會降低芯片貼片作業(yè)的效率。
發(fā)明內(nèi)容
本申請?zhí)峁┝艘环N基于電容陣列的芯片參數(shù)檢測方法及裝置，可有利于提高芯片貼片作業(yè)的效率。
為了實現(xiàn)上述技術(shù)效果，本申請第一方面提供了一種基于電容陣列的芯片參數(shù)檢測方法，上述電容陣列包括：M*N個電容，上述M和N不小于2；
上述芯片參數(shù)檢測方法包括：
將待檢測芯片置于上述電容陣列的上極板陣列與下極板陣列之間，其中，上述上極板陣列由上述M*N個電容的上極板構(gòu)成，上述下極板陣列由上述M*N個電容的下極板構(gòu)成；
分別采集上述M*N個電容中各個電容的電容值，得到M*N大小的電容值矩陣，其中，上述電容值矩陣中第i行第j列的元素為上述M*N個電容中第i行第j列的電容的電容值，i∈[1，M]，j∈[1，N]；
基于上述電容值矩陣中目標(biāo)元素所在位置，確定上述待檢測芯片的中心軸線，其中，上述目標(biāo)元素為電容值大于電容閾值的元素；
基于上述中心軸線和預(yù)設(shè)的0度參考線，確定并輸出上述待檢測芯片的偏移角度，其中，上述偏移角度為上述中心軸線相對于上述0度參考線的偏移角度。
基于本申請第一方面，在第一種可能的實現(xiàn)方式中，上述基于上述電容值矩陣中目標(biāo)元素所在位置，確定上述待檢測芯片的中心軸線包括：
基于上述電容值矩陣中目標(biāo)元素所在位置，確定上述待檢測芯片的四個角點所在位置；
基于上述四個角點所在位置，確定上述待檢測芯片的中心軸線。
基于本申請第一方面的第一種可能的實現(xiàn)方式，在第二種可能的實現(xiàn)方式中，上述基于上述電容值矩陣中目標(biāo)元素所在位置，確定上述待檢測芯片的四個角點所在位置具體為：
以預(yù)設(shè)的矩陣窗口提取出上述電容值矩陣的全部子矩陣，將各個上述子矩陣分別與預(yù)設(shè)的角點算子矩陣進(jìn)行乘積，得到哈達(dá)瑪積矩陣，其中，上述角點算子矩陣與上述矩陣窗口具備相同的行數(shù)和列數(shù)；
基于各個上述哈達(dá)瑪積矩陣和預(yù)設(shè)的角點矩陣特征信息，確定出左上角子矩陣、右上角子矩陣、左下角子矩陣和右下角子矩陣；其中，上述角點矩陣特征信息包括：左上角矩陣特征信息、右上角矩陣特征信息、左下角矩陣特征信息和右下角矩陣特征信息，上述左上角子矩陣為與上述左上角矩陣特征信息匹配的哈達(dá)瑪積矩陣所對應(yīng)的子矩陣，上述右上角子矩陣為與上述右上角矩陣特征信息匹配的哈達(dá)瑪積矩陣所對應(yīng)的子矩陣，上述左下角子矩陣為與上述左下角矩陣特征信息匹配的哈達(dá)瑪積矩陣所對應(yīng)的子矩陣；上述左下角子矩陣為與上述左下角矩陣特征信息匹配的哈達(dá)瑪積矩陣所對應(yīng)的子矩陣；
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