[發(fā)明專利]一種基于電容陣列的芯片參數(shù)檢測方法及裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010013541.3
• 申請日: 2020-01-07
• 公開（公告）號: CN111207659A
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 霍彥明;李爭;張路成;李曉偉;谷存江
• 申請（專利權(quán)）人: 河北科技大學(xué);石家莊輻科電子科技有限公司
• 主分類號: G01B7/00
• 分類號: G01B7/00;G01B7/31;G01B7/30;G01B7/06;G01D5/24
• 代理公司: 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120
• 代理人: 秦敏華

1.一種基于電容陣列的芯片參數(shù)檢測方法，其特征在于，所述電容陣列包括：M*N個電容，所述M和N不小于2；

所述芯片參數(shù)檢測方法包括：

將待檢測芯片置于所述電容陣列的上極板陣列與下極板陣列之間，其中，所述上極板陣列由所述M*N個電容的上極板構(gòu)成，所述下極板陣列由所述M*N個電容的下極板構(gòu)成；

分別采集所述M*N個電容中各個電容的電容值，得到M*N大小的電容值矩陣，其中，所述電容值矩陣中第i行第j列的元素為所述M*N個電容中第i行第j列的電容的電容值，i∈[1，M]，j∈[1，N]；

基于所述電容值矩陣中目標(biāo)元素所在位置，確定所述待檢測芯片的中心軸線，其中，所述目標(biāo)元素為電容值大于電容閾值的元素；

基于所述中心軸線和預(yù)設(shè)的0度參考線，確定并輸出所述待檢測芯片的偏移角度，其中，所述偏移角度為所述中心軸線相對于所述0度參考線的偏移角度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片參數(shù)檢測方法，其特征在于，所述基于所述電容值矩陣中目標(biāo)元素所在位置，確定所述待檢測芯片的中心軸線包括：

基于所述電容值矩陣中目標(biāo)元素所在位置，確定所述待檢測芯片的四個角點所在位置；

基于所述四個角點所在位置，確定所述待檢測芯片的中心軸線。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片參數(shù)檢測方法，其特征在于，所述基于所述電容值矩陣中目標(biāo)元素所在位置，確定所述待檢測芯片的四個角點所在位置具體為：

以預(yù)設(shè)的矩陣窗口提取出所述電容值矩陣的全部子矩陣，將各個所述子矩陣分別與預(yù)設(shè)的角點算子矩陣進行乘積，得到哈達(dá)瑪積矩陣，其中，所述角點算子矩陣與所述矩陣窗口具備相同的行數(shù)和列數(shù)；

基于各個所述哈達(dá)瑪積矩陣和預(yù)設(shè)的角點矩陣特征信息，確定出左上角子矩陣、右上角子矩陣、左下角子矩陣和右下角子矩陣；其中，所述角點矩陣特征信息包括：左上角矩陣特征信息、右上角矩陣特征信息、左下角矩陣特征信息和右下角矩陣特征信息，所述左上角子矩陣為與所述左上角矩陣特征信息匹配的哈達(dá)瑪積矩陣所對應(yīng)的子矩陣，所述右上角子矩陣為與所述右上角矩陣特征信息匹配的哈達(dá)瑪積矩陣所對應(yīng)的子矩陣，所述左下角子矩陣為與所述左下角矩陣特征信息匹配的哈達(dá)瑪積矩陣所對應(yīng)的子矩陣；所述左下角子矩陣為與所述左下角矩陣特征信息匹配的哈達(dá)瑪積矩陣所對應(yīng)的子矩陣；

分別將所述左上角子矩陣的左上角點所在位置、所述右上角子矩陣的右上角點所在位置、所述左下角子矩陣的左下角點所在位置和所述右下角子矩陣的右下角點所在位置確定為所述待檢測芯片的四個角點所在位置。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片參數(shù)檢測方法，其特征在于，所述基于所述電容值矩陣中目標(biāo)元素所在位置，確定所述待檢測芯片的四個角點所在位置具體為：

對所述電容值矩陣中目標(biāo)元素所在區(qū)域進行整體特征識別；

基于所述整體特征識別的結(jié)果，確定所述待檢測芯片的四個角點所在位置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的芯片參數(shù)檢測方法，其特征在于，所述芯片參數(shù)檢測方法還包括：

基于目標(biāo)電容的極板面積、電容值和厚度關(guān)系參數(shù)，測算所述待檢測芯片的厚度，其中，所述目標(biāo)電容為一目標(biāo)元素所對應(yīng)的電容，所述極板面積為所述目標(biāo)電容的上極板與下極板的正對面積。