[發明專利]半導體封裝件

在審

• 申請號: 202010013212.9
• 申請日: 2020-01-07
• 公開（公告）號: CN111415911A
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 李榮官;許榮植;曹正鉉;韓泰熙;金鐘錄
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/498;H01L25/07
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 李雪雪;王秀君

1.一種半導體封裝件，所述半導體封裝件包括：

連接結構，包括絕緣構件、多個第一墊、多個第二墊和重新分布層，所述絕緣構件具有第一表面和第二表面，所述第一表面具有凹槽部，所述第二表面背對所述第一表面，所述多個第一墊設置在所述凹槽部的底表面上，所述多個第二墊嵌在所述絕緣構件的所述第二表面中，所述重新分布層設置在所述多個第一墊與所述多個第二墊之間并且連接到所述多個第一墊和所述多個第二墊；

半導體芯片，設置在所述絕緣構件的所述第一表面上并且具有分別電連接到所述多個第一墊的多個連接電極；以及

鈍化層，設置在所述絕緣構件的所述第二表面上并且具有分別使所述多個第二墊暴露的多個開口。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述重新分布層包括上重新分布層，所述上重新分布層在所述絕緣構件上設置在與所述第一墊的高度相同的高度上，并且

所述上重新分布層電連接到所述第一墊或所述重新分布層的其他區域。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述多個第一墊中的每個包括金屬墊以及設置在所述金屬墊的上表面上的金屬層，并且所述金屬墊的側表面被暴露。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝件，其中，所述金屬墊包括銅墊，并且所述金屬層包括鎳/金層。

5.根據權利要求3所述的半導體封裝件，其中，所述多個第一墊以65μm或更小的節距布置。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述多個連接電極通過引線連接到所述多個第一墊。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述多個第二墊與所述絕緣構件的所述第二表面共面。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述重新分布層包括設置在所述絕緣構件的不同高度上的多個重新分布圖案和分別連接到所述多個重新分布圖案的多個重新分布過孔。

9.根據權利要求8所述的半導體封裝件，其中，所述重新分布過孔在其鄰近于所述第一表面的部分中的寬度比在其鄰近于所述第二表面的部分中的寬度大。

10.根據權利要求8所述的半導體封裝件，其中，所述多個重新分布過孔中的每個與鄰近于所述第一表面的所述重新分布圖案具有一體化結構。

11.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述絕緣構件包括感光絕緣材料，并且所述鈍化層包括非感光絕緣材料。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝件，其中，所述感光絕緣材料為感光介電樹脂。

13.根據權利要求1所述的半導體封裝件，所述半導體封裝件還包括多個電連接金屬件，所述多個電連接金屬件設置在所述鈍化層上并且分別通過所述多個開口連接到所述多個第二墊。

14.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述半導體芯片為高帶寬存儲器芯片。

15.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述多個第一墊中的一些具有過孔，所述過孔與所述第一墊具有一體化結構。