[發明專利]一種沉積設備及其沉積方法

在審

• 申請號: 202010011427.7
• 申請日: 2020-01-06
• 公開（公告）號: CN113073305A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 肖守均;林子平;李劉中;安金鑫;張雪
• 申請（專利權）人: 重慶康佳光電技術研究院有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281
• 代理人: 李發兵

本發明涉及顯示屏加工技術領域，具體涉及一種沉積設備及其沉積方法，其包括：產品出入口，所述產品出入口用于供產品的進出；濺射沉積室，所述濺射沉積室用于對產品進行濺射沉積；氣相沉積室，所述氣相沉積室用于對產品進行氣相沉積；真空搬運腔，所述真空搬運腔分別于所述濺射沉積室、氣相沉積室和產品出入口相連通，所述真空搬運腔中具有真空環境并設有用于將產品在濺射沉積室、氣相沉積室和真空大氣轉換腔之間進行搬運的搬運工具；本發明在濺射沉積室和氣相沉積室之間的搬運時間較短，滿足連續加工的需求，且其搬運環境為真空環境，有效地避免了產品與空氣等介質的接觸，有效地保證了產品的性能。

技術領域

本發明涉及顯示屏加工技術領域，具體涉及一種沉積設備以及一種應用于該沉積設備的沉積方法。

背景技術

微型發光二極管(Micro LED)，即發光二極管微縮化和矩陣化技術,由于其具有高亮度、低功耗、長壽命的優點,近年來其越來越多地被應用于顯示器上；并被廣泛地應用于智慧穿戴、車載、TV、公眾顯示墻等領域,而TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)作為Micro LED顯示器背板的重要器件，其驅動性能是顯示器中的重要參數。

IGZO TFT因其具有良好的場效應遷移率、大尺寸均勻性及設備工藝相對簡單而具有廣闊前景。當TFT工作時，其有源層IGZO(indium gallium zincoxide，銦鎵鋅氧化物)與GI層的界面處由多數載流子積累形成導電前溝道，因此，前溝道電流大小與有源層IGZO和GI層的界面狀態密切相關。

在現有的IGZO TFT中，有源層IGZO為金屬氧化物半導體，其沉積方式為磁控濺射沉積，而GI層為非金屬絕緣層，其沉積方式為化學氣相沉積，因此，在目前的IGZO TFT制作工藝中，會先由PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等離子體增強化學的氣相沉積法)設備沉積GI層，再搬送至磁控濺射沉積設備沉積IGZO層，因非連續沉積造成界面缺陷態密度較大，且PECVD設備和磁控濺射沉積設備是兩種不同的工序設備，因此彼此是分開布局，搬運時間較長，搬送過程中GI面與空氣等介質接觸，易導致界面污染和正電荷聚集，進而導致TFT器件性能下降。

發明內容

為克服上述缺陷，本發明的目的即在于提供一種能連續進行氣相沉積和濺射沉積的TFT基板沉積設備以及其沉積方法。

本發明的目的是通過以下技術方案來實現的：

本發明是一種沉積設備，包括：

產品出入口，所述產品出入口用于供產品的進出；

濺射沉積室，所述濺射沉積室用于對產品進行濺射沉積；

氣相沉積室，所述氣相沉積室用于對產品進行氣相沉積；

真空搬運腔，所述真空搬運腔分別于所述濺射沉積室、氣相沉積室和產品出入口相連通，所述真空搬運腔中具有真空環境并設有用于將產品在濺射沉積室、氣相沉積室和真空大氣轉換腔之間進行搬運的搬運工具。

在本發明中，所述產品出入口中設有真空大氣轉換腔，所述真空大氣轉換腔用于腔內的真空環境進行轉換。

在本發明中，所述濺射沉積室和所述氣相沉積室的數量均為一個以上。

在本發明中，所述濺射沉積室的數量小于所述氣相沉積室的數量。

在本發明中，所述真空大氣轉換腔、濺射沉積室和氣相沉積室均勻分布設置于所述真空搬運腔的外側。

在本發明中，所述搬運工具為機械手臂。

在本發明中，所述真空大氣轉換腔的外側設有外側搬運工具。

本發明是一種應用于如上所述沉積設備的沉積方法，其包括：

將產品從產品出入口搬運至氣相沉積室中；