[發(fā)明專(zhuān)利]基于亞波長(zhǎng)光柵的異質(zhì)集成垂直耦合器及其應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010010935.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113075765A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙佳;趙然;孫崇磊;徐曉 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 山東大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | G02B6/122 | 分類(lèi)號(hào): | G02B6/122;G02B6/124;G02B6/12 |
| 代理公司: | 濟(jì)南金迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37219 | 代理人: | 趙龍群 |
| 地址: | 250199 山*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 波長(zhǎng) 光柵 集成 垂直 耦合器 及其 應(yīng)用 | ||
1.基于亞波長(zhǎng)光柵的異質(zhì)集成垂直耦合器,所述垂直耦合器包括絕熱拉錐波導(dǎo),其特征在于,所述絕熱拉錐波導(dǎo)上設(shè)置有亞波長(zhǎng)光柵;所述絕熱拉錐波導(dǎo)的寬度從始端到末端逐漸減少,所述絕熱拉錐波導(dǎo)的兩個(gè)側(cè)邊對(duì)稱(chēng)設(shè)置有亞波長(zhǎng)光柵,所述亞波長(zhǎng)光柵的長(zhǎng)度由絕熱拉錐波導(dǎo)的始端到末端逐漸增大;所述絕熱拉錐波導(dǎo)的長(zhǎng)度為12.4-58.9μm;
光在從絕熱拉錐波導(dǎo)的始端進(jìn)入垂直耦合器,并在垂直耦合器中繼續(xù)傳輸;由于亞波長(zhǎng)光柵等效為一個(gè)均勻材料波導(dǎo),入射到亞波長(zhǎng)光柵上的光,入射光電場(chǎng)極化方向平行于光柵周期界面方向,隨絕熱拉錐波導(dǎo)寬度減少,垂直耦合器的有效折射率逐漸減小,導(dǎo)致光由始端到末端進(jìn)行傳輸并逐漸向上耦合到上層波導(dǎo)中,然后在上層波導(dǎo)中繼續(xù)進(jìn)行傳輸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于亞波長(zhǎng)光柵的異質(zhì)集成垂直耦合器,其特征在于,亞波長(zhǎng)光柵的周期T為220-320nm,亞波長(zhǎng)光柵的占空比為0.32-0.45;優(yōu)選的,亞波長(zhǎng)光柵的周期T為300nm,占空比為0.33。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于亞波長(zhǎng)光柵的異質(zhì)集成垂直耦合器,其特征在于,所述絕熱拉錐波導(dǎo)的始端的寬度為400-500nm,所述絕熱拉錐波導(dǎo)的末端的寬度為80-160nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于亞波長(zhǎng)光柵的異質(zhì)集成垂直耦合器,其特征在于,所述絕熱拉錐波導(dǎo)的始端的寬度為400nm,所述絕熱拉錐波導(dǎo)的末端的寬度為80nm;從所述絕熱拉錐波導(dǎo)的始端到末端,所述亞波長(zhǎng)光柵中光柵的長(zhǎng)度由0nm逐漸增加到160nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于亞波長(zhǎng)光柵的異質(zhì)集成垂直耦合器,其特征在于,所述絕熱拉錐波導(dǎo)的長(zhǎng)度為15μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于亞波長(zhǎng)光柵的異質(zhì)集成垂直耦合器,其特征在于,所述異質(zhì)集成垂直耦合器的入射波長(zhǎng)為1500-1600nm;優(yōu)選的,入射波長(zhǎng)為1550nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于亞波長(zhǎng)光柵的異質(zhì)集成垂直耦合器,其特征在于,所述絕熱拉錐波導(dǎo)層的厚度為220nm。
8.一種設(shè)置有如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的基于亞波長(zhǎng)光柵的異質(zhì)集成垂直耦合器的硅基-鈮酸鋰混合集成光調(diào)制器,其特征在于,光調(diào)制器的輸入端包括自下到上依次設(shè)置有硅襯底、二氧化硅層、苯丙環(huán)丁烯層和鈮酸鋰層;所述異質(zhì)集成垂直耦合器設(shè)置在所述苯丙環(huán)丁烯層中,且所述異質(zhì)集成垂直耦合器與所述二氧化硅層相連接;
光在從絕熱拉錐波導(dǎo)的始端進(jìn)入異質(zhì)集成垂直耦合器,并在異質(zhì)集成垂直耦合器中繼續(xù)傳輸,逐漸向上耦合到上層的鈮酸鋰波導(dǎo)中,之后繼續(xù)在鈮酸鋰波導(dǎo)中進(jìn)行傳輸。
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