[發明專利]OLED顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號: | 202010010692.3 | 申請日: | 2020-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN111063721A | 公開(公告)日: | 2020-04-24 |
| 發明(設計)人: | 龔吉祥 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 刁文魁 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明提供一種OLED顯示面板及顯示裝置,本發明將金屬走線設計成第一金屬層和第二金屬層,第一金屬層分布在顯示區域的邊緣和彎折區域,第二金屬層位于彎折區域中,第二金屬層與第一金屬層正對設計,第一金屬層位于彎折區域的部分區域并聯或串聯與第二金屬層電性連接,形成雙層走線或雙層換線結構,任意層一個金屬斷裂后,另一層金屬仍然可以保持信號傳輸,降低了信號走線因長期彎折而斷裂造成的信號無法傳輸的風險,同時解決了彎折區域中電源走線、掃描線和數據線的連接不穩定性的問題,進一步提高了TFT器件穩定性和顯示面板的顯示品質。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED顯示面板及顯示裝置。
背景技術
OLED顯示面板因其高對比度、廣色域、低功耗、可折疊等特性,逐漸成為新一代顯示技術。相較于LCD技術,OLED顯示面板可應用于柔性顯示面板中,尤其是可將面板的下邊框彎折至面板后方,實現窄邊框的目的。
常規OLED顯示面板中彎折區域連接相鄰驅動薄膜晶體管漏極的電源走線采用直行金屬走線設計,很容易產生裂紋,導致局部電阻過高,或者甚至是斷線,影響顯示屏的實際使用。為了實現降低彎折區域金屬走線彎折承受的應力,通過對彎折區域形成沉孔,在沉孔中填充有機絕緣材料,會在有機絕緣層表面形成兩個凸塊,當電源走線鋪設在有機絕緣層表面,凸塊會影響電源走線、掃描線和數據線的連接穩定性,進而影響TFT器件穩定性和顯示面板的顯示品質。
因此,現有技術中OLED面板在彎折區域中源/漏極相連的電源走線容易斷裂,且電源走線、掃描線和數據線的連接不穩定性,進而影響TFT器件穩定性和顯示面板的顯示品質的技術問題,需要改進。
發明內容
本發明提供一種OLED顯示面板及顯示裝置,能夠解決現有技術中OLED面板在彎折區域中源/漏極相連的電源走線容易斷裂,且電源走線、掃描線和數據線的連接不穩定性,進而影響TFT器件穩定性和顯示面板的顯示品質的技術問題。
為解決上述問題,本發明提供的技術方案如下:
本發明提供一種OLED顯示面板,包括基板、設置在所述基板的一側的TFT層、設置在所述TFT層上的發光層,覆蓋所述發光層的封裝層,所述OLED顯示面板具有顯示區域以及所述顯示區域一側的彎折區域;
其中,所述TFT層對應所述彎折區域設置有第一金屬層、第二金屬層、以及位于所述第一金屬層和所述第二金屬層之間的介質層,所述第一金屬層的部分區域與所述第二金屬層電性連接。
根據本發明一優選實施例,所述第一金屬層與所述基板之間設置有沉孔,所述沉孔填充有有機絕緣材料。
根據本發明一優選實施例,所述第二金屬層與所述第一金屬層正對設置,所述第二金屬層通過所述介質層中過孔與所述第一金屬層電性連接。
根據本發明一優選實施例,所述第一金屬層包括分離設置多個第一子金屬層,所述第二金屬層包括分離設置多個第二子金屬層,每個所述第二子金屬層與對應的相鄰兩個所述第一子金屬層之間的間隔相對,并且每個所述第二子金屬層通過所述介質層中過孔以分別與對應相鄰的兩個所述第一子金屬層電性連接。
根據本發明一優選實施例,所述第一金屬層與所述顯示區域中源/漏極同層設置,所述第二金屬層與所述顯示區域中第二柵極或第一柵極同層設置,所述介質層為有機絕緣材料。
根據本發明一優選實施例,所述第一金屬層與所述源/漏極同層設置,所述第二金屬層與所述顯示區域中陽極同層設置,所述介質層為平坦化層。
根據本發明一優選實施例,所述第一金屬層與所述第一柵極同層設置,所述第二金屬層與所述第二柵極同層設置,所述介質層為有機絕緣材料。
根據本發明一優選實施例,所述第一金屬層靠近所述彎折區域中基板與所述封裝層形成的中性面上設置,彎折時所受彎折應力最小。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





