[發(fā)明專利]OLED顯示面板及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010010692.3 | 申請日: | 2020-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN111063721A | 公開(公告)日: | 2020-04-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 龔吉祥 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 刁文魁 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | oled 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種OLED顯示面板,其特征在于,包括基板、設(shè)置在所述基板的一側(cè)的TFT層、設(shè)置在所述TFT層上的發(fā)光層,覆蓋所述發(fā)光層的封裝層,所述OLED顯示面板具有顯示區(qū)域以及所述顯示區(qū)域一側(cè)的彎折區(qū)域;
其中,所述TFT層對應(yīng)所述彎折區(qū)域設(shè)置有第一金屬層、第二金屬層、以及位于所述第一金屬層和所述第二金屬層之間的介質(zhì)層,所述第一金屬層的部分區(qū)域與所述第二金屬層電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一金屬層與所述基板之間設(shè)置有沉孔,所述沉孔填充有有機(jī)絕緣材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第二金屬層與所述第一金屬層正對設(shè)置,所述第二金屬層通過所述介質(zhì)層中過孔與所述第一金屬層電性連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一金屬層包括分離設(shè)置多個第一子金屬層,所述第二金屬層包括分離設(shè)置多個第二子金屬層,每個所述第二子金屬層與對應(yīng)的相鄰兩個所述第一子金屬層之間的間隔相對,并且每個所述第二子金屬層通過所述介質(zhì)層中過孔以分別與對應(yīng)相鄰的兩個所述第一子金屬層電性連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一金屬層與所述顯示區(qū)域中源/漏極同層設(shè)置,所述第二金屬層與所述顯示區(qū)域中第二柵極或第一柵極同層設(shè)置,所述介質(zhì)層為有機(jī)絕緣材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一金屬層與所述源/漏極同層設(shè)置,所述第二金屬層與所述顯示區(qū)域中陽極同層設(shè)置,所述介質(zhì)層為平坦化層。
7.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一金屬層與所述第一柵極同層設(shè)置,所述第二金屬層與所述第二柵極同層設(shè)置,所述介質(zhì)層為有機(jī)絕緣材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一金屬層靠近所述彎折區(qū)域中基板與所述封裝層形成的中性面上設(shè)置,彎折時所受彎折應(yīng)力最小。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述顯示區(qū)域靠近所述彎折區(qū)域設(shè)置第一連接塊和第二連接塊,所述第一連接塊和所述第二連接塊分別與所述第一金屬層電性連接,其中,所述第一連接塊與所述第一柵極同層設(shè)置,所述第二連接塊與所述第二柵極同層設(shè)置。
10.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括權(quán)利要求1至9任一權(quán)利要求所述的OLED顯示面板、以及貼合于所述OLED顯示面板的背板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





