[發(fā)明專利]一種光接收次模塊及其被動(dòng)對(duì)位方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010010434.5 | 申請(qǐng)日： | 2020-01-06 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113075764A | 公開（公告）日： | 2021-07-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 藤田貴久 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 晶連股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G02B6/12 | 分類號(hào)： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139 | 代理人： | 侯奇慧 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 接收 模塊 及其 被動(dòng) 對(duì)位 方法 | ||
1.一種平面光波導(dǎo)芯片與光電二極管芯片組成的光接收次模塊，其特征在于，包括：
一承載板；
一平面光波導(dǎo)芯片，設(shè)置于該承載板之上，該平面光波導(dǎo)芯片包括：
一基板；
一平面光波導(dǎo)，形成于該基板之上，其中該平面光波導(dǎo)包括：
一輸入光波導(dǎo)芯，位于鄰近該平面光波導(dǎo)芯片的一輸入端；
多個(gè)輸出光波導(dǎo)芯，位于鄰近該平面光波導(dǎo)芯片的一輸出端；以及
至少一光耦合部，位于該輸入光波導(dǎo)芯以及該多個(gè)輸出光波導(dǎo)芯之間，其中該至少一光耦合部分別與該輸入光波導(dǎo)芯以及該多個(gè)輸出光波導(dǎo)芯相連接；以及
一反射面鏡，其中該平面光波導(dǎo)芯片的該輸出端具有一輸出端側(cè)面，該輸出端側(cè)面包含每一輸出光波導(dǎo)芯所具有的一輸出端面，該反射面鏡形成于該輸出端側(cè)面上，該輸出端側(cè)面與該平面光波導(dǎo)芯片的一上表面交匯形成一輸出端邊緣，該輸出端側(cè)面與該平面光波導(dǎo)芯片的該上表面之間具有一夾角，該夾角為一銳角；
一支撐板，其包括一固定端以及一懸空端，該支撐板的該固定端設(shè)置于鄰近該輸出端邊緣的該平面光波導(dǎo)芯片之上，該支撐板的該懸空端懸空于該輸出端邊緣之外；以及
多個(gè)光電二極管芯片，分別相對(duì)應(yīng)于該多個(gè)輸出光波導(dǎo)芯設(shè)置于該支撐板之上，其中一輸入光信號(hào)由該輸入光波導(dǎo)芯輸入而傳導(dǎo)至該至少一光耦合部，經(jīng)由該至少一光耦合部將該輸入光信號(hào)分波成多個(gè)輸出光信號(hào)而分別傳導(dǎo)至該多個(gè)輸出光波導(dǎo)芯，該多個(gè)輸出光信號(hào)分別經(jīng)由該輸出端側(cè)面上的該反射面鏡的反射后穿過(guò)該支撐板，從而分別由相對(duì)應(yīng)于該多個(gè)輸出光波導(dǎo)芯的該多個(gè)光電二極管芯片所接收。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面光波導(dǎo)芯片與光電二極管芯片組成的光接收次模塊，其特征在于，每一光電二極管芯片具有一二極管中心位置，每一光電二極管芯片的該二極管中心位置的一垂直投影線與該輸出端邊緣之間的最短距離為一偏移量，其中該偏移量與該支撐板所具有的一厚度、該支撐板所具有的一折射率以及該夾角相關(guān)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面光波導(dǎo)芯片與光電二極管芯片組成的光接收次模塊，其特征在于，該平面光波導(dǎo)芯片還包括一上披覆層，該上披覆層形成于該基板之上，且覆蓋住該平面光波導(dǎo)的一外表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的平面光波導(dǎo)芯片與光電二極管芯片組成的光接收次模塊，其特征在于，每一光電二極管芯片具有一二極管中心位置，其中每一光電二極管芯片的該二極管中心位置的一垂直投影線與該輸出端邊緣之間的最短距離為一偏移量，其中該偏移量與該支撐板所具有的一厚度、該支撐板所具有的一折射率、該上披覆層所具有的一厚度、該上披覆層所具有的一折射率以及該夾角相關(guān)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的平面光波導(dǎo)芯片與光電二極管芯片組成的光接收次模塊，其特征在于，該上披覆層的該折射率大于或等于1.44，且小于或等于1.76。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的平面光波導(dǎo)芯片與光電二極管芯片組成的光接收次模塊，其特征在于，該上披覆層的該厚度大于或等于3μm，且小于或等于50μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光接收次模塊的平面光波導(dǎo)芯片與光電二極管芯片組成的光接收次模塊，其特征在于，該支撐板的該折射率等于該上披覆層的該折射率。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的平面光波導(dǎo)芯片與光電二極管芯片組成的光接收次模塊，其特征在于，構(gòu)成該上披覆層的材料包括二氧化硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的平面光波導(dǎo)芯片與光電二極管芯片組成的光接收次模塊，其特征在于，該平面光波導(dǎo)芯片還包括一下披覆層，該下披覆層形成于該基板之上，該平面光波導(dǎo)形成于該下披覆層之上，該上披覆層形成于該下披覆層之上，且覆蓋住該平面光波導(dǎo)的該外表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求2、4～7中任一項(xiàng)所述的平面光波導(dǎo)芯片與光電二極管芯片組成的光接收次模塊，其特征在于，該偏移量大于或等于30μm，且小于或等于80μm。
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