[發明專利]半導體存儲裝置在審
| 申請號: | 202010010242.4 | 申請日: | 2020-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN112510050A | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發明(設計)人: | 原島弘光;亀田靖 | 申請(專利權)人: | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/11519 | 分類號: | H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 楊林勳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 存儲 裝置 | ||
1.一種半導體存儲裝置,具備第1芯片及第2芯片,該第1芯片包含:多個存儲單元,設置在第1襯底;
多個第1焊墊,設置在所述第1襯底上,且以包圍所述多個存儲單元的方式配置;及
第1導電層,設置在所述第1襯底上,且電連接于所述第1焊墊;
該第2芯片包含:第1電路,設置在第2襯底;
多個第2焊墊,設置在所述第2襯底上,且以包圍所述第1電路的方式配置;及
第2導電層,設置在所述第2襯底上,且電連接于所述第2焊墊;
所述第1芯片的所述第1焊墊與所述第2芯片的所述第2焊墊以對向的方式貼合。
2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置,其中所述第1焊墊、所述第1導電層、所述第2焊墊、及所述第2導電層構成TEG(test element group,測試元件組)。
3.根據權利要求1或2所述的半導體存儲裝置,其中所述第1焊墊、所述第1導電層、所述第2焊墊、及所述第2導電層構成與所述存儲單元及所述第1電路電絕緣的用于測試的圖案。
4.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置,其中所述第1焊墊設置在所述第1芯片的端部附近,所述第2焊墊設置在所述第2芯片的端部附近。
5.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置,其中所述第1芯片更具備設置在與所述第1焊墊為相反側的面的多個第3焊墊,且
所述第3焊墊電連接于所述第1焊墊。
6.根據權利要求5所述的半導體存儲裝置,其中使用所述第3焊墊測定電阻,而檢測所述第1焊墊與所述第2焊墊之間的剝離。
7.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置,其中所述第1芯片更具備:多個第3焊墊,以包圍所述第1焊墊的方式與所述第1焊墊鄰接地配置在所述第1襯底上;及第3導電層,設置在所述第1襯底上且電連接于所述第3焊墊;且
所述第2芯片更具備:多個第4焊墊,以包圍所述第2焊墊的方式與所述第2焊墊鄰接地配置在所述第2襯底上;及第4導電層,設置在所述第2襯底上且電連接于所述第4焊墊。
8.根據權利要求7所述的半導體存儲裝置,其中所述第1芯片更具備設置在與所述第3焊墊為相反側的面的第5焊墊,
所述第5焊墊電連接于所述第3導電層,
所述第2芯片更具備設置在與所述第4焊墊為相反側的面的第6焊墊,且
所述第6焊墊電連接于所述第4導電層。
9.根據權利要求7所述的半導體存儲裝置,其中所述第1芯片更具備:多個第5焊墊,設置在所述第1襯底上且與所述第1焊墊鄰接地配置;及第5導電層,設置在所述第1襯底上且電連接于所述第5焊墊;所述第1焊墊配置在所述第3焊墊與所述第5焊墊之間,且
所述第2芯片更具備:多個第6焊墊,設置在所述第2襯底上且與所述第2焊墊鄰接地配置;及第6導電層,設置在所述第2襯底上且電連接于所述第6焊墊;所述第2焊墊配在所述第4焊墊與所述第6焊墊之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





