[發(fā)明專利]LED芯片的制備方法及LED芯片

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010010157.8
• 申請(qǐng)日: 2020-01-06
• 公開（公告）號(hào): CN111063771A
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡棄疾;楊建國(guó);郗萌;卜浩禮;楊天鵬;康建
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江西圓融光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/36
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 朱穎;臧建明

本發(fā)明提供一種LED芯片的制備方法及LED芯片。本發(fā)明實(shí)施例提供的LED芯片的制備方法，包括：在進(jìn)行臺(tái)面光刻后，以所述臺(tái)面光刻剩余的第一膠層為掩膜，對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，以使所述透明導(dǎo)電層與外延層的臺(tái)面邊緣之間形成間隙，去除所述第一膠層。本發(fā)明實(shí)施例提供的LED芯片的制備方法，通過將現(xiàn)有工藝中的TCL光刻與MESA光刻兩道工序合并成一道，以省去了一步光刻步驟以及一步去膠，提升了光刻車間和清洗車間的產(chǎn)能，降低了LED芯片的制造成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及芯片制造技術(shù)，尤其涉及一種LED芯片的制備方法及LED芯片。

背景技術(shù)

隨著發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，簡(jiǎn)稱LED)技術(shù)的發(fā)展，LED芯片已廣泛應(yīng)用于照明、指示、顯示和背光源中，半導(dǎo)體晶片的切割技術(shù)對(duì)生產(chǎn)出的LED芯片的亮度造成一定程度的影響。

現(xiàn)有技術(shù)中，正裝LED芯片光刻工藝有電流阻擋(Current B|ocMng Layer，簡(jiǎn)稱CBL)光刻、透明導(dǎo)電層(Transparent Conductive Layer，簡(jiǎn)稱TCL)光刻、臺(tái)面光刻(MESA光刻)、電極光刻(PAD光刻)、保護(hù)層光刻(PV光刻)，而倒裝芯片工藝還包括ISO深刻蝕光刻、DBR光刻等。其中，MESA光刻是為了后續(xù)刻蝕出一個(gè)臺(tái)面，以露出N區(qū)，而TCL光刻是為了后續(xù)的導(dǎo)電玻璃，即氧化銦錫(Indium Tin Oxide，簡(jiǎn)稱ITO)內(nèi)縮腐蝕，以防止ITO與MESA邊接觸引起漏電。具體的，在現(xiàn)有工藝的MESA光刻后，需要先去除光刻膠，然后，重新勻膠后，再繼續(xù)進(jìn)行TCL光刻。

可見，在現(xiàn)有工藝中，不論是正裝芯片還是倒裝芯片，MESA光刻和TCL光刻這兩步都是必須要做的，但是，由于現(xiàn)有工藝步驟流程復(fù)雜，進(jìn)而導(dǎo)致了LED芯片的制備成本較高的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種LED芯片的制備方法及LED芯片，以降低工藝步驟復(fù)雜程度，從而降低了LED芯片的制造成本。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種LED芯片的制備方法，包括：

在進(jìn)行臺(tái)面光刻后，以所述臺(tái)面光刻剩余的第一膠層為掩膜，對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕，以使所述透明導(dǎo)電層與外延層的臺(tái)面邊緣之間形成間隙；

去除所述第一膠層。

在一種可能的設(shè)計(jì)中，所述刻蝕采用濕法刻蝕。

在一種可能的設(shè)計(jì)中，所述的LED芯片的制備方法，還包括：

對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行融合。

在一種可能的設(shè)計(jì)中，在所述對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行融合之后，還包括：

在所述透明導(dǎo)電層上層積二氧化硅保護(hù)層。

在一種可能的設(shè)計(jì)中，在所述透明導(dǎo)電層上層積二氧化硅保護(hù)層之后，還包括：

對(duì)所述二氧化硅保護(hù)層進(jìn)行光刻。

在一種可能的設(shè)計(jì)中，在所述對(duì)所述二氧化硅保護(hù)層進(jìn)行光刻之后，還包括：

在所述二氧化硅保護(hù)層上蒸鍍金屬電極。

在一種可能的設(shè)計(jì)中，在所述二氧化硅保護(hù)層上蒸鍍金屬電極之后，還包括：

對(duì)所述金屬電極進(jìn)行金屬融合。

在一種可能的設(shè)計(jì)中，在所述以所述臺(tái)面光刻剩余的第一膠層為掩膜，對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕之前，還包括：

在所述外延層上蒸鍍所述透明導(dǎo)電層；

對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行所述臺(tái)面光刻。

在一種可能的設(shè)計(jì)中，在所述外延層上蒸鍍所述透明導(dǎo)電層之前，還包括：

對(duì)所述外延層進(jìn)行清洗。