[發明專利]LED芯片的制備方法及LED芯片在審
| 申請號： | 202010010157.8 | 申請日： | 2020-01-06 |
| 公開（公告）號： | CN111063771A | 公開（公告）日： | 2020-04-24 |
| 發明（設計）人： | 胡棄疾;楊建國;郗萌;卜浩禮;楊天鵬;康建 | 申請（專利權）人： | 江西圓融光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱穎;臧建明 |
| 地址： | 337000 江西*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 芯片 制備 方法 | ||
1.一種LED芯片的制備方法，其特征在于，包括：
在進行臺面光刻后，以所述臺面光刻剩余的第一膠層為掩膜，對透明導電層進行刻蝕，以使所述透明導電層與外延層的臺面邊緣之間形成間隙；
去除所述第一膠層。
2.根據權利要求1所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，所述刻蝕采用濕法刻蝕。
3.根據權利要求1或2所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，在所述去除所述第一膠層之后，還包括：
對所述透明導電層進行融合。
4.根據權利要求3所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，在所述對所述透明導電層進行融合之后，還包括：
在所述透明導電層上層積二氧化硅保護層。
5.根據權利要求4所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，在所述透明導電層上層積二氧化硅保護層之后，還包括：
對所述二氧化硅保護層進行光刻。
6.根據權利要求5所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，在所述對所述二氧化硅保護層進行光刻之后，還包括：
在所述二氧化硅保護層上蒸鍍金屬電極。
7.根據權利要求6所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，在所述二氧化硅保護層上蒸鍍金屬電極之后，還包括：
對所述金屬電極進行金屬融合。
8.根據權利要求3所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，在所述以所述臺面光刻剩余的第一膠層為掩膜，對透明導電層進行刻蝕之前，還包括：
在所述外延層上蒸鍍所述透明導電層；
對所述透明導電層進行所述臺面光刻。
9.根據權利要求8所述的LED芯片的制備方法，其特征在于，在所述外延層上蒸鍍所述透明導電層之前，還包括：
對所述外延層進行清洗。
10.一種LED芯片，其特征在于，所述LED芯片采用如權利要求1-9中任一種所述的LED芯片的制備方法制得。
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