[發明專利]一種新型的SE Mark點圖形結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202010009929.6
• 申請日: 2020-01-06
• 公開（公告）號: CN111370391A
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 王建
• 申請（專利權）人: 橫店集團東磁股份有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L31/18
• 代理公司: 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109
• 代理人: 尉偉敏

1.一種新型的SE Mark點圖形結構，包括硅片和若干Mark點，其特征在于，所述Mark點為十字形結構，Mark點被鐳射在硅片的四個角區用于PERC疊加選擇性發射極技術。

2.一種根據權利要求1所述的新型的SE Mark點圖形結構，其特征在于，所述Mark點圖形結構包括兩條相互垂直的直線，其中一條直線帶有缺口，缺口穿過另一條直線。

3.一種根據權利要求1所述的新型的SE Mark點圖形結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：對硅片進行預處理；

S2：制備P-N結；

S3：SE激光摻雜；

S4：制備Mark點；

S5：對硅片進行再處理；

S6：激光開槽；

S7：對硅片背面進行背電極和背電場的印刷；

S8：燒結測試。

4.根據權利要求3所述的一種新型的SE Mark點圖形結構的制備方法，其特征在于，所述S1包括以下步驟：

S11：對硅片進行預清洗；

S12：對硅片進行絨面制備。

5.根據權利要求3所述的一種新型的SE Mark點圖形結構的制備方法，其特征在于，所述S2包括以下步驟：

S21：調整N2量、通氧量、磷源量及擴散溫度；

S22：利用熱擴散工藝制備出磷擴散層；

其中，S22中所述磷擴散層的方阻為110Ω。

6.根據權利要求3所述的一種新型的SE Mark點圖形結構的制備方法，其特征在于，所述S3包括以下步驟：

S31：采用激光對硅片正面預備印刷金屬細柵線的位置即預先設置的圖形進行選擇性摻雜；

S32：激光進行局部熔融，使得激光掃描位置的磷進一步擴散，形成局部高濃度磷摻雜區域，使得該區域的方阻值降為60Ω,所有線段均為激光需掃面位置。

7.根據權利要求3所述的一種新型的SE Mark點圖形結構的制備方法，其特征在于，所述S4包括以下步驟：

S41：對激光參數進行選擇、調整；

S42：調整至激光鐳射在電池片四個角區域的十字形Mark點包括一條直線與另一條帶有缺口并與之垂直的直線。

8.根據權利要求3所述的一種新型的SE Mark點圖形結構的制備方法，其特征在于，所述S5包括以下步驟：

S51：對硅片進行背面刻蝕去PSG、退火和氧化鋁鈍化膜；

S52：對硅片正背面進行SiNx層工藝制備。

9.根據權利要求3所述的一種新型的SE Mark點圖形結構的制備方法，其特征在于，所述S7包括以下步驟：

S71：對硅片背面進行背電極和背電場印刷；

S72：180°翻轉硅片，以激光掃描制備的四個Mark點為印刷對位點調節正電極印刷機臺相機成功抓取四個Mark點的位置；

S73：使金屬細柵線對應在高濃度磷摻雜區域上；

S74：批量印刷SE電池。

10.根據權利要求3所述的一種新型的SE Mark點圖形結構的制備方法，其特征在于，所述S8包括以下步驟：

S81：烘干、燒結正背面金屬漿料；

S82：對SE電池進行測試分檔，完成制備。