[發(fā)明專利]待清洗工件的清洗方法及清洗設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010008946.8
• 申請日: 2020-01-03
• 公開（公告）號: CN111105996B
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發(fā)明（設計）人: 夏余平;宋冬門;任德營;顧立勛;楊尊
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67;B08B3/08;B08B3/10;B08B13/00
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

本申請?zhí)峁┝艘环N待清洗工件的清洗方法及清洗設備。其中，清洗方法包括：提供待清洗工件，待清洗工件包括基體和設于基體一側的第一待清洗部。將待清洗工件置入第一化學清洗液中并進行化學清洗以將第一待清洗部去除，第一化學清洗液包括臭氧溶液。臭氧溶液即為將臭氧溶解在水中形成的溶液。將待清洗工件置入水中進行水洗以去除殘留在待清洗工件表面的第一化學清洗液。本申請通過采用臭氧溶液代替相關技術中硫酸與過氧化氫的混合溶液來對待清洗工件進行清洗以將第一待清洗部去除，有效地降低了清洗成本，提高了清洗質量。

技術領域

本申請屬于工件清洗技術領域，具體涉及待清洗工件的清洗方法及清洗設備。

背景技術

在將晶圓制備成半導體的過程中需要在晶圓表面制備各種圖案，即進行光刻處理。具體需要先在晶圓表面涂覆光阻層，然后再通過掩膜板和紫外光的配合從而在晶圓上形成各種圖案，最后再將光阻層去除。目前通常采用硫酸加過氧化氫的混合溶液(SPM溶液)來蝕刻光阻層。然而SPM溶液成本較高且SPM溶液需要在高溫下進行清洗操作。但過氧化氫在高溫下易進行分解，從而降低SPM溶液的濃度，降低清洗質量。

發(fā)明內容

鑒于此，本申請第一方面提供了一種待清洗工件的清洗方法，所述清洗方法包括：

提供待清洗工件，所述待清洗工件包括基體和設于所述基體一側的第一待清洗部；

將所述待清洗工件置入第一化學清洗液中并進行化學清洗以將所述第一待清洗部去除，所述第一化學清洗液包括臭氧溶液；所述臭氧溶液即為將臭氧溶解在水中形成的溶液；以及

將所述待清洗工件置入水中進行水洗以去除殘留在所述待清洗工件表面的所述第一化學清洗液。

本申請第一方面提供的清洗方法，通過采用臭氧溶液代替相關技術中硫酸與過氧化氫的混合溶液來對待清洗工件進行清洗以將第一待清洗部去除，有效地降低了清洗成本，提高了清洗質量。

其中，“將所述待清洗工件置入第一化學清洗液中并進行化學清洗”包括：

將所述待清洗工件置入第一化學清洗液中；

控制所述待清洗工件在所述第一化學清洗液中進行往復運動。

其中，所述第一化學清洗液包括第一水平面，在“將所述待清洗工件置入第一化學清洗液中”之后，還包括：

翻轉所述待清洗工件，以使所述第一待清洗部背離所述基體的一側遠離所述第一水平面。

其中，“將所述待清洗工件置入第一化學清洗液中并進行化學清洗”包括：

將所述待清洗工件置入第一化學清洗液中；

提高所述第一化學清洗液的溫度，以將所述第一化學清洗液的溫度從初始溫度提高到第一預設溫度，并保持第一預設時間；以及

再次提高所述第一化學清洗液的溫度，以將所述第一化學清洗液的溫度從所述第一預設溫度提高到目標溫度。

其中，在“將所述待清洗工件置入第一化學清洗液中并進行化學清洗”之前，還包括：

將所述待清洗工件置于臭氧的氣氛中以將部分所述第一待清洗部去除。

其中，“將所述待清洗工件置于臭氧的氣氛中”包括：

提供密閉的第一化學清洗槽，將所述第一化學清洗液置入所述第一化學清洗槽中；

將臭氧氣體通入所述第一化學清洗槽中；以及

將所述待清洗工件置入所述第一化學清洗槽中的臭氧氣氛中。

其中，“將所述待清洗工件置于臭氧的氣氛中”包括：