[發明專利]電漿調節組件與感應耦合電漿蝕刻設備

在審

• 申請號: 202010008918.6
• 申請日: 2020-01-06
• 公開（公告）號: CN113078076A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 林俊成;王俊富;鄭立易;沈佑德;鄭耀璿
• 申請（專利權）人: 天虹科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 深圳市金筆知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 44297
• 代理人: 趙南陽

本案揭露一種電漿調節組件與感應耦合電漿蝕刻設備。感應耦合電漿蝕刻設備包括電漿調節組件、供電裝置與反應腔體，其中電漿調節組件包括介電板與線圈，且更包括分流組件。當位于介電板一側的線圈通電產生電磁感應時，介電板的另一側可產生電漿以對基材進行蝕刻。當線圈受到調整使線圈的內圈與外圈彼此遠離或靠近，與/或分流組件連接于線圈使通入線圈的電流受到分流時，可使電磁感應的強弱受到調節，進而調節電漿密度以此調節基材受到蝕刻時的蝕刻均勻度。

技術領域

本發明系關于一種電漿調節組件與感應耦合電漿蝕刻設備，尤其指一種使線圈的配置位置變化以控制產生的電磁感應，以使線圈不同區域的電磁感應的強弱可受調控，進而調節產生的電漿密度以使受電漿蝕刻的基材的蝕刻均勻度可受控制的一種電漿調節組件，以及使用其的感應耦合電漿蝕刻設備。

背景技術

在半導體與發光二極管(light-emitting diode，LED)的部分制程中，通常需對基材的表面進行預清潔或預處理，其中一種方法是使用電漿(例如，射頻電漿(radiofrequency，RF))對基材的表面蝕刻。

以半導體封裝產業中的錫鉛凸塊制程為例，在對基材生成錫鉛凸塊之前，需要先對基材表面的鋁電極生長一層凸塊底層金屬(under bump metal，UBM)，其中，凸塊底層金屬生成的質量對半導體組件的電性與可靠度有重大影響。在凸塊底層金屬的相關制程中，需先對基材進行預清潔，以去除基材表面的原生氧化物(nativeoxide)，使基材露出純鋁表面后，才可對其鍍上凸塊底層金屬，故預清潔制程的調控在半導體產業亦十分重要。

一般而言，常見的預清潔制程是使用氬氣電漿對基材表面進行蝕刻，以去除原生氧化物，然而，當使用電漿對基材進行蝕刻時，常發生基材的蝕刻均勻度不佳的問題。傳統的電漿產生方式與基材受蝕刻的結果請參照圖1A與圖1B，圖1A是現有技術的電漿生成組件的示意圖，以及圖1B是現有技術的基材蝕刻均勻度的示意圖。如圖1A所示，電漿生成組件1包括介電板101與線圈102，其中線圈102被固定于介電板101的一側，當線圈102通電產生電磁感應時，介電板101的對應于線圈102的另一側會產生電漿以對基材進行蝕刻。然而，由于線圈102是被固定于介電板101而難以被調整線圈102的配置位置，最終導致基材蝕刻均勻度不佳卻難以受調控的問題，例如基材的蝕刻均勻度發生如圖1B的偏邊的情形，即，基材的不同區域(圖1B為左與右)具有不同程度的蝕刻率。

發明內容

因此，為了克服現有技術的不足之處，本發明實施例提供一種電漿調節組件與感應耦合電漿蝕刻設備。所述電漿蝕刻設備透過電漿調節組件產生電漿，于反應腔體對基材進行蝕刻，其中電漿調節組件具有介電板與線圈，且更包括分流組件。當電漿調節組件通電時，可透過調整線圈之內圈與外圈的距離，與/或于線圈的任意處接上分流組件，以藉此調整電漿調節組件所產生的電磁感應的強弱，進而細微的調節產生的電漿的密度，以達成控制基材蝕刻時的蝕刻均勻度。

基于前述目的的至少其中之一者，本發明實施例提供的電漿調節組件系用于對基材進行蝕刻。所述電漿調節組件包括介電板、線圈以及分流組件，其中線圈位于介電板的一側。在線圈通電產生電磁感應時，介電板的相對于線圈的另一側產生電漿以對基材進行蝕刻，其中分流組件的兩端電性連接線圈的兩處，以調整電磁感應的強弱使電漿對基材蝕刻時的蝕刻均勻度受到調節

可選地，所述線圈的內圈與外圈之間的距離可被調整，以調整電磁感應的強弱使電漿對基材蝕刻時的蝕刻均勻度受到調節。

可選地，所述線圈為一體成型或包括復數個可動關節。

可選地，所述電漿調節組件更包括電感器或電容器，其中電感器或電容器連接線圈的其中一處，用以對電漿調節組件的功率與/或阻抗進行匹配。

可選地，所述電漿調節組件更包括至少一個固定架，用以支撐線圈，其中固定架為可調式固定架，用以調整線圈與介電板之間的距離或調整線圈的內圈與外圈之間的距離。