[發(fā)明專利]電漿調(diào)節(jié)組件與感應(yīng)耦合電漿蝕刻設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010008918.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113078076A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林俊成;王俊富;鄭立易;沈佑德;鄭耀璿 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 天虹科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 深圳市金筆知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 44297 | 代理人: | 趙南陽(yáng) |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 調(diào)節(jié) 組件 感應(yīng) 耦合 蝕刻 設(shè)備 | ||
1.一種用于對(duì)基材蝕刻的電漿調(diào)節(jié)組件,其特征在于,包括:
一介電板;
一線圈,位于所述介電板的一側(cè);以及
至少一分流組件;
其中在所述線圈通電產(chǎn)生電磁感應(yīng)時(shí),所述介電板的相對(duì)于所述線圈的另一側(cè)產(chǎn)生電漿以對(duì)所述基材進(jìn)行蝕刻,其中所述分流組件的兩端電性連接所述線圈的兩處,以調(diào)整電磁感應(yīng)的強(qiáng)弱使所述電漿對(duì)所述基材蝕刻時(shí)的蝕刻均勻度受到調(diào)節(jié)。
2.如權(quán)利要求1所述的電漿調(diào)節(jié)組件,其特征在于,其中所述線圈的一內(nèi)圈與一外圈之間的距離可被調(diào)整,以調(diào)整電磁感應(yīng)的強(qiáng)弱使所述電漿對(duì)所述基材蝕刻時(shí)的蝕刻均勻度受到調(diào)節(jié)。
3.如權(quán)利要求1所述的電漿調(diào)節(jié)組件,其特征在于,其中所述線圈為一體成型或包括復(fù)數(shù)個(gè)可動(dòng)關(guān)節(jié)。
4.如權(quán)利要求1所述的電漿調(diào)節(jié)組件,其特征在于,更包括:
一電感器或一電容器,連接所述線圈的其中一處,用以平衡所述電漿調(diào)節(jié)組件的功率匹配。
5.如權(quán)利要求1所述的電漿調(diào)節(jié)組件,其特征在于,更包括:
至少一固定架,用以支撐所述線圈,其中一個(gè)或多個(gè)所述固定架為可調(diào)式固定架,用以調(diào)整所述線圈與所述介電板之間的距離或所述線圈的所述內(nèi)圈與所述外圈之間的距離。
6.如權(quán)利要求1所述的電漿調(diào)節(jié)組件,其特征在于,其中所述介電板的材質(zhì)為陶瓷、鍍有金屬層的陶瓷、石英或鍍有金屬層的石英。
7.一種用于對(duì)基材蝕刻的電漿調(diào)節(jié)組件,包括:
一介電板;以及
一線圈,位于所述介電板的一側(cè);
其中在所述線圈通電產(chǎn)生電磁感應(yīng)時(shí),所述線圈的一內(nèi)圈與一外圈之間的距離可被調(diào)整,使所述線圈的不同區(qū)域的所述內(nèi)圈與所述外圈之間的距離為不等距,以調(diào)整電磁感應(yīng)的強(qiáng)弱使所述電漿對(duì)所述基材蝕刻時(shí)的蝕刻均勻度受到調(diào)節(jié)。
8.如權(quán)利要求7所述的電漿調(diào)節(jié)組件,其特征在于,其中所述線圈為一體成型或包括復(fù)數(shù)個(gè)可動(dòng)關(guān)節(jié)。
9.如權(quán)利要求7所述的電漿調(diào)節(jié)組件,其特征在于,更包括:
一電感器或一電容器,連接所述線圈的其中一處,用以平衡所述電漿調(diào)節(jié)組件的功率匹配。
10.一種感應(yīng)耦合電漿蝕刻設(shè)備,其特征在于,包括:如權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述的電漿調(diào)節(jié)組件,
一供電裝置,用以提供電力來(lái)源給所述電漿調(diào)節(jié)組件;以及
一反應(yīng)腔體,以使一基材受所述電漿調(diào)節(jié)組件提供的電漿蝕刻。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
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H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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