[發明專利]用于制造半導體器件的裝置和用于去除光刻膠的裝置在審
| 申請號: | 202010008602.7 | 申請日: | 2020-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN111965959A | 公開(公告)日: | 2020-11-20 |
| 發明(設計)人: | 千知訓;李賢貞;全杓珍;趙庸真;李源俊 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G03F7/42 | 分類號: | G03F7/42;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人: | 李娜;王占杰 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制造 半導體器件 裝置 去除 光刻 | ||
提供了一種用于制造半導體器件的裝置和用于去除光刻膠的裝置。所述用于制造半導體器件的裝置可以包括噴嘴和紫外線發射器,所述噴嘴具有被構造成噴射溶液的狹縫,所述紫外線發射器設置在所述噴嘴的外部。所述紫外線發射器和所述噴嘴可以被構造成能夠水平移動。所述狹縫可以設置在所述噴嘴的底表面上。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2019年5月20日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2019-0058816的優先權,通過引用將該韓國專利申請的全部內容合并于此。
技術領域
本公開涉及一種用于制造半導體器件的裝置以及使用該裝置制造半導體器件的方法,具體地,涉及一種用于去除光刻膠圖案的裝置以及使用該裝置去除光刻膠圖案的方法。
背景技術
在制造半導體器件的工藝中,光刻技術被廣泛用于對層執行圖案化工藝。如果完成了使用光刻膠圖案對層進行圖案化的工藝,則去除光刻膠圖案。由于半導體器件集成在大面積的基板上,因此基板上的光刻膠圖案的去除速率可能隨位置而變化。在使用諸如硫酸的酸性物質去除光刻膠圖案的情況下,會產生廢水。
發明內容
本發明構思的一些實施例提供了一種以高去除速率去除光刻膠圖案的方法和用于該去除工藝的裝置。
根據本發明構思的實施例,一種用于制造半導體器件的裝置可以包括具有狹縫的噴嘴。所述噴嘴被構造成通過所述狹縫噴射溶液,紫外線發射器設置在所述噴嘴的外部。所述紫外線發射器和所述噴嘴可以被構造成能夠水平運動。所述噴嘴可以設置在所述噴嘴的底表面上。
根據本發明構思的實施例,一種用于去除光刻膠的裝置可以包括:臂,所述臂被構造成執行水平往復運動;噴嘴,所述噴嘴結合到所述臂;以及紫外線發射器,所述紫外線發射器結合到所述臂,并且設置在所述噴嘴的外部。所述噴嘴可以具有狹縫,所述狹縫設置在所述噴嘴的底表面中,并且被構造成噴射溶液。
根據本發明構思的實施例,一種用于制造半導體器件的裝置可以包括:噴嘴,所述噴嘴具有狹縫;紫外線發射器,所述紫外線發射器設置在所述噴嘴的外部;支撐板;以及流體供應部件,所述流體供應部件設置在所述支撐板中,并且被構造成將流體噴出在所述支撐板的頂表面上。所述流體供應部件的出口可以暴露在所述支撐板的所述頂表面上方,并且所述噴嘴的底表面和所述紫外線發射器可以與所述支撐板的所述頂表面間隔開。
附圖說明
通過以下結合附圖的簡要描述,將更清楚地理解示例實施例。附圖表示本文所述的非限制性的示例實施例。
圖1A是示出了根據本發明構思的實施例的用于制造半導體器件的裝置的透視圖。
圖1B是示出了裝載在根據本發明構思的實施例的用于制造半導體器件的裝置上的基板的俯視圖。
圖1C是示出了圖1B的裝置在制造半導體器件的工藝中執行的操作的示圖。
圖2A是示出了根據本發明構思的實施例的噴嘴、紫外線發射器和臂的透視圖。
圖2B是示出了根據本發明構思的實施例的與導管連接的噴嘴的透視圖。
圖3A是圖1B中的區域“I”的放大俯視圖,并示出了根據本發明構思的實施例的噴嘴和紫外線發射器。
圖3B是示出了根據本發明構思的實施例的連接部的俯視圖。
圖3C是示出了根據本發明構思的實施例的噴嘴的俯視圖。
圖4是示出了根據本發明構思的實施例的制造半導體器件的方法的流程圖。
圖5A至圖5C是示出了根據本發明構思的實施例的制造半導體器件的方法的示圖。
圖6A是示出了其中形成有上層的結構的示例的截面圖。
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