[發(fā)明專利]用于制造半導體器件的裝置和用于去除光刻膠的裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010008602.7
• 申請日: 2020-01-06
• 公開（公告）號: CN111965959A
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發(fā)明（設計）人: 千知訓;李賢貞;全杓珍;趙庸真;李源俊
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42;H01L21/67
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

1.一種用于制造半導體器件的裝置，包括：

噴嘴，所述噴嘴具有狹縫，所述噴嘴被構(gòu)造成通過所述狹縫噴射溶液；以及

紫外線發(fā)射器，所述紫外線發(fā)射器設置在所述噴嘴的外部，

其中，所述紫外線發(fā)射器和所述噴嘴被構(gòu)造成能夠水平運動。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，所述裝置還包括：

臂，所述臂連接到所述噴嘴和所述紫外線發(fā)射器，

其中，所述臂被構(gòu)造成使所述紫外線發(fā)射器和所述噴嘴水平移動。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，所述裝置還包括：

支撐板，所述支撐板用于支撐基板；

其中，所述紫外線發(fā)射器被構(gòu)造成在中心位置與邊緣位置之間進行水平運動；

當在俯視圖中觀察時，所述中心位置與所述支撐板的中心區(qū)域交疊，并且

當在所述俯視圖中觀察時，所述邊緣位置與所述支撐板的邊緣區(qū)域交疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述噴嘴包括石英。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述溶液包含臭氧和水。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述噴嘴限定注入孔和分配室，所述注入孔穿透所述噴嘴的頂表面，所述分配室連接所述注入孔和所述狹縫。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述噴嘴限定多個所述注入孔，并且所述注入孔當在俯視圖中觀察時與所述狹縫交疊。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述狹縫的寬度小于所述注入孔的寬度，并且所述狹縫的長度大于所述注入孔的長度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述紫外線發(fā)射器的底表面是發(fā)光表面。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，所述裝置還包括：

支撐板，所述支撐板設置成面向所述噴嘴和所述紫外線發(fā)射器；以及

流體供應部件，所述流體供應部件延伸穿過所述支撐板，并且被構(gòu)造成噴出流體，

所述流體供應部件的出口暴露在所述支撐板的頂表面上方。

11.一種用于去除光刻膠的裝置，包括：

臂，所述臂被構(gòu)造成進行水平往復運動；

噴嘴，所述噴嘴結(jié)合到所述臂，所述噴嘴具有位于所述噴嘴下方的狹縫，并且所述噴嘴被構(gòu)造成通過所述狹縫噴射溶液；以及

第一紫外線發(fā)射器，所述第一紫外線發(fā)射器結(jié)合到所述臂，并且設置在所述噴嘴的外部。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中，所述狹縫的長度在10mm至160mm的范圍內(nèi)，并且所述狹縫的寬度在0.1mm至10mm的范圍內(nèi)。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中，所述第一紫外線發(fā)射器被構(gòu)造成在紫外光的照射期間進行水平運動。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，所述裝置還包括：

第二紫外線發(fā)射器，所述第二紫外線發(fā)射器與所述噴嘴和所述第一紫外線發(fā)射器間隔開，當在俯視圖中觀察時，所述第二紫外線發(fā)射器與支撐板的邊緣區(qū)域的頂表面交疊。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，所述裝置還包括：

支撐板；以及

流體供應部件，所述流體供應部件延伸穿過所述支撐板，并且被構(gòu)造成噴出流體，

其中，所述流體供應部件的出口暴露在所述支撐板的頂表面上方，并且

所述噴嘴和所述第一紫外線發(fā)射器與所述支撐板的所述頂表面間隔開。