[發(fā)明專利]壓力平衡裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010008259.6 | 申請日: | 2020-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN113073307A | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 向洪春;陳長榮 | 申請(專利權(quán))人: | 上海思擎企業(yè)管理合伙企業(yè)(有限合伙) |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/44;C30B25/14 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 200000 上海市閔*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 壓力 平衡 裝置 | ||
本發(fā)明公開了一種壓力平衡裝置,包括:主路管道,包括第一進(jìn)氣口和第一出氣口,第一出氣口與反應(yīng)腔連通;廢氣管道,包括第二進(jìn)氣口和第二出氣口;至少一個反應(yīng)氣體管道,每個反應(yīng)氣體管道包括第三進(jìn)氣口和第三出氣口,第三出氣口分別與第一支路和第二支路連接,第一支路和主路管道連接,第一支路內(nèi)設(shè)置有主路閥,第二支路和廢氣管道連接,第二支路內(nèi)設(shè)置有旁通閥;壓力傳感器,設(shè)置在主路管道內(nèi),用于檢測主路管道內(nèi)的壓力;壓力控制器,與壓力傳感器連接,設(shè)置在廢氣管道內(nèi),用于控制廢氣管道內(nèi)的壓力以使得廢氣管道內(nèi)的壓力與主路管道內(nèi)的壓力始終保持平衡。本發(fā)明的壓力平衡裝置能夠保持主路管道和廢氣管道的壓力始終平衡。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積(CVD)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種用于CVD設(shè)備的壓力平衡裝置。
背景技術(shù)
第三代化合物半導(dǎo)體材料如GaN、SiC等的生長主要采用CVD設(shè)備,反應(yīng)原理是反應(yīng)氣體流經(jīng)被加熱到反應(yīng)溫度的基片(即襯底)表面,發(fā)生化學(xué)生成單晶薄膜。反應(yīng)氣體的種類較多,進(jìn)入反應(yīng)腔時是以一定的時間順序進(jìn)入的,不同的外延層對應(yīng)了不同類型的反應(yīng)氣體。外延單晶材料的一個重要的指標(biāo)就是界面的陡峭度,也可以理解成每層材料的純度,每層界面越陡峭越好。這就要求每種氣體的純度需要達(dá)到7N甚至9N,同時生長過程中對每種氣體的開啟和關(guān)閉必須做到獨(dú)立而又平穩(wěn),不允許通一種氣體時有另外的殘余氣體順帶通入。
在現(xiàn)實應(yīng)用中,基本上都是用組合閥門進(jìn)氣的方式,反應(yīng)氣體被送入反應(yīng)腔之前先通過旁通閥通入廢氣管道,其目的是讓反應(yīng)氣體的濃度、溫度、壓力有一個穩(wěn)定過程,在需要用到的時候開啟主路閥同時關(guān)閉旁通閥,將氣體切入反應(yīng)腔。由于反應(yīng)氣體的量比較小,通過氣路到達(dá)反應(yīng)腔的時間較長,所以主路管道進(jìn)氣口需要有一定量的吹掃氣體將反應(yīng)氣體快速送達(dá)反應(yīng)腔。由于主路管道和廢氣管道通入的氣體流量、管道大小等都存在差異,導(dǎo)致兩管道內(nèi)部存在壓力差,氣體切換的時候有交叉污染的風(fēng)險,尤其是當(dāng)廢氣管道壓力大于主路管道的壓力時,廢氣管道內(nèi)的其他氣體在切換的一瞬間可能會進(jìn)入主路管道,造成生長的材料質(zhì)量下降甚至報廢。只有主路管道和廢氣管道壓力相等時,被切換的氣體才會在等壓的條件下平穩(wěn)地從廢氣管道切換至主路管道。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種壓力平衡裝置,能夠保持主路管道和廢氣管道的壓力始終平衡。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是提供一種壓力平衡裝置,包括:
主路管道,包括第一進(jìn)氣口和第一出氣口,所述第一出氣口與反應(yīng)腔連通;
廢氣管道,包括第二進(jìn)氣口和第二出氣口;
至少一個反應(yīng)氣體管道,每個所述反應(yīng)氣體管道包括第三進(jìn)氣口和第三出氣口,所述第三出氣口分別與第一支路和第二支路連接,所述第一支路和所述主路管道連接,所述第一支路內(nèi)設(shè)置有主路閥,所述第二支路和所述廢氣管道連接,所述第二支路內(nèi)設(shè)置有旁通閥;
壓力傳感器,設(shè)置在所述主路管道內(nèi),用于檢測所述主路管道內(nèi)的壓力;
壓力控制器,與所述壓力傳感器連接,設(shè)置在所述廢氣管道內(nèi),用于控制所述廢氣管道內(nèi)的壓力以使得所述廢氣管道內(nèi)的壓力與所述主路管道內(nèi)的壓力始終保持平衡。
在本發(fā)明的一具體實施例中,所述壓力傳感器設(shè)置在所述反應(yīng)氣體管道的上游。
在本發(fā)明的一具體實施例中,所述壓力控制器設(shè)置在所述廢氣管道內(nèi)靠近所述第二出氣口的一端,且位于所述反應(yīng)氣體管道的下游。
在本發(fā)明的一具體實施例中,所述主路管道內(nèi)設(shè)置有第一氣體流量計,所述第一氣體流量計用于控制所述主路管道內(nèi)的氣體流量。
在本發(fā)明的一具體實施例中,所述第一氣體流量計設(shè)置在所述主路管道內(nèi)靠近所述第一進(jìn)氣口的一端,且位于所述壓力傳感器的上游。
在本發(fā)明的一具體實施例中,所述廢氣管道內(nèi)設(shè)置有第二氣體流量計,所述第二氣體流量計用于控制所述廢氣管道內(nèi)的氣體流量。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





