[發(fā)明專利]一種應(yīng)用于SOI工藝集成電路芯片的靜電保護(hù)裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010008161.0
• 申請(qǐng)日: 2020-01-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111192870A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜一波;畢卉;李大錦;施程
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 常州工學(xué)院
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02
• 代理公司: 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32231
• 代理人: 楊靜文

1.一種應(yīng)用于SOI工藝集成電路芯片的靜電保護(hù)裝置，包括半導(dǎo)體襯底(101)、埋氧層(102)、P型阱區(qū)(103)、P型體接觸區(qū)(104)、N型阱區(qū)(105)、N型接觸區(qū)(106)和P型接觸區(qū)(107)，所述P型阱區(qū)(103)、P型體接觸區(qū)(104)、N型阱區(qū)(105)、N型接觸區(qū)(106)和P型接觸區(qū)(107)均位于所述埋氧層(102)之上的硅膜區(qū)內(nèi)，其特征在于，所述P型體接觸區(qū)(104)的一部分伸入所述N型阱區(qū)(105)，所述P型體接觸區(qū)(104)伸入所述N型阱區(qū)(105)部分與所述N型阱區(qū)(105)和所述P型接觸區(qū)(107)構(gòu)成側(cè)邊觸發(fā)BJT，所述側(cè)邊觸發(fā)BJT作為可控硅的觸發(fā)機(jī)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于SOI工藝集成電路芯片的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，所述P型阱區(qū)(103)、N型阱區(qū)(105)、P型接觸區(qū)(107)和N型接觸區(qū)(106)構(gòu)成的PNPN結(jié)構(gòu)構(gòu)成可控硅，用以泄放電荷，所述側(cè)邊觸發(fā)BJT作為所述可控硅的觸發(fā)機(jī)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于SOI工藝集成電路芯片的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，所述P型體接觸區(qū)(104)伸入所述N型阱區(qū)(105)部分與所述P型接觸區(qū)(107)之間的距離與所述側(cè)邊觸發(fā)BJT基區(qū)中的載流子的擴(kuò)散距離在同一數(shù)量級(jí)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于SOI工藝集成電路芯片的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，所述P型體接觸區(qū)(104)伸入所述N型阱區(qū)(105)部分與所述P型接觸區(qū)(107)之間的距離等于所述P型體接觸區(qū)(104)伸入所述N型阱區(qū)(105)部分與所述N型接觸區(qū)(106)之間的距離。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種應(yīng)用于SOI工藝集成電路芯片的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，通過(guò)調(diào)整所述P型體接觸區(qū)(104)伸入所述N型阱區(qū)(105)的距離得到不同開(kāi)啟電壓的靜電保護(hù)裝置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于SOI工藝集成電路芯片的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，所述側(cè)邊觸發(fā)BJT的基極和發(fā)射極均連接接靜電保護(hù)裝置的陽(yáng)極。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于SOI工藝集成電路芯片的靜電保護(hù)裝置，其特征在于，通過(guò)版圖對(duì)T型或者H型側(cè)邊多晶硅柵進(jìn)行修改設(shè)計(jì)得到P型體接觸區(qū)(104)。