[發明專利]背側晶圓對準方法在審
| 申請號: | 202010007955.5 | 申請日: | 2020-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN111489997A | 公開(公告)日: | 2020-08-04 |
| 發明(設計)人: | M·J·塞登;野間崇 | 申請(專利權)人: | 半導體元件工業有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L23/544 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 張小穩 |
| 地址: | 美國亞*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 背側晶圓 對準 方法 | ||
1.一種用于晶圓對準的方法,所述方法包括:
提供包括第一側和第二側的晶圓;
在所述晶圓的第二側上形成種子層;
在兩個或更多個預先確定的點處將粘稠物施加到所述種子層;
將金屬層鍍覆在所述種子層上方和所述粘稠物周圍;
移除所述粘稠物以暴露所述種子層;
蝕刻所述種子層以暴露所述晶圓中的多個對準特征結構。
2.根據權利要求1所述的方法,還包括使用所述多個對準特征結構來對準所述晶圓以用于分割。
3.一種用于晶圓對準的方法,所述方法包括:
提供晶圓,所述晶圓包括在所述晶圓的第一側上的一個或多個管芯通道,以及在所述晶圓的第二側上的種子金屬層;
將粘稠物施加到所述晶圓的所述第二側的與所述晶圓的所述第一側上的所述一個或多個管芯通道對應的區域;
在所述種子金屬層上形成金屬層;以及
蝕刻所述種子金屬層以暴露所述一個或多個管芯通道中的兩個管芯通道,所述一個或多個管芯通道中的所述兩個管芯通道各自在其中包括多個對準特征結構。
4.根據權利要求3所述的方法,還包括:
使用紅外相機對準所述晶圓;以及
將所述晶圓分割成多個管芯。
5.一種用于晶圓對準的方法,所述方法包括:
提供包括第一側和第二側的晶圓;
將晶圓背側涂層施加到所述晶圓的第二側;
在兩個或更多個預先確定的點處將粘稠物施加到所述晶圓背側涂層;
將金屬層鍍覆在所述晶圓背側涂層上方和所述粘稠物周圍;
移除所述粘稠物以暴露所述晶圓背側涂層;以及
移除所述晶圓背側涂層以暴露所述晶圓中的多個對準特征結構。
6.根據權利要求5所述的方法,還包括:
使用紅外相機對準所述晶圓;以及
將所述晶圓分割成多個管芯。
7.根據權利要求5所述的方法,其中所述晶圓背側涂層為種子金屬層。
8.根據權利要求7所述的方法,其中移除所述種子金屬層包括蝕刻。
9.根據權利要求5所述的方法,其中所述晶圓背側涂層是不透明的。
10.根據權利要求5所述的方法,其中所述金屬層包含金屬、氧化物或聚合材料中的一者。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





