[發(fā)明專利]背側(cè)晶圓對準方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010007955.5 | 申請日: | 2020-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN111489997A | 公開(公告)日: | 2020-08-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | M·J·塞登;野間崇 | 申請(專利權(quán))人: | 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L23/544 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038 | 代理人: | 張小穩(wěn) |
| 地址: | 美國亞*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 背側(cè)晶圓 對準 方法 | ||
本發(fā)明題為“背側(cè)晶圓對準方法”。本發(fā)明公開了一種用于晶圓對準的方法的實施方式,該實施方式可包括:提供具有第一側(cè)和第二側(cè)的晶圓,以及在晶圓的第二側(cè)上形成種子層。該方法可包括在兩個或更多個預(yù)先確定的點處將粘稠物施加到種子層,以及將金屬層鍍覆在種子層上方和粘稠物周圍。該方法可包括移除粘稠物以暴露種子層,以及蝕刻種子層以暴露在晶圓的第二側(cè)上的多個對準特征結(jié)構(gòu)。
相關(guān)專利申請的交叉引用
本申請要求授予Seddon等人的名稱為“背側(cè)晶圓對準方法(BACKSIDE WAFERALIGNMENT METHODS)”的美國臨時專利申請62/796,680的提交日期的權(quán)益,該申請?zhí)峤挥?019年1月25日,該申請的公開內(nèi)容據(jù)此全文以引用方式并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
本文檔的各方面整體涉及用于對準襯底的系統(tǒng)和方法。更具體的實施方式涉及半導(dǎo)體襯底。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體襯底用于形成各種半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件通常分布在多個管芯中的半導(dǎo)體襯底的平坦表面上。使用分割工藝(比如鋸切)將多個管芯彼此分開。
發(fā)明內(nèi)容
用于晶圓對準的方法的實施方式可包括:提供具有第一側(cè)和第二側(cè)的晶圓,并且在該晶圓的第二側(cè)上形成種子層。該方法可包括在兩個或更多個預(yù)先確定的點處將粘稠物施加到種子層,以及將金屬層鍍覆在種子層上方和粘稠物周圍。該方法可包括移除粘稠物以暴露種子層,以及蝕刻種子層以暴露晶圓中的多個對準特征結(jié)構(gòu)。
用于晶圓對準的方法的實施方式可包括以下各項中的一者、全部或任一者:
該方法還可包括使用多個對準特征結(jié)構(gòu)對準晶圓以用于分割,
施加粘稠物還可包括使用模版、馬達控制分配器或噴涂機中的一者。
金屬層可包含金、銅、鎳或它們的任何組合。
粘稠物可包含光致抗蝕劑、樹脂或聚合物材料。
用于晶圓對準的方法的實施方式可包括:提供一種晶圓,在該晶圓的第一側(cè)上具有一個或多個管芯通道,并且在該晶圓的第二側(cè)上具有種子金屬層。該方法可包括將粘稠物施加到晶圓的第二側(cè)的與晶圓的第一側(cè)上的一個或多個管芯通道對應(yīng)的區(qū)域。該方法可包括在種子金屬層上形成金屬層,以及蝕刻種子層以暴露一個或多個管芯通道中的兩個管芯通道。該兩個或更多個管芯通道可各自在其中包括多個對準特征結(jié)構(gòu)。
用于晶圓對準的方法的實施方式可包括以下各項中的一者、全部或任一者:
該方法還可包括使用紅外相機對準晶圓以及將晶圓分割成多個管芯。
施加粘稠物還可包括使用模版、馬達控制分配器或噴涂機中的一者。
金屬層可包含金、銅、鎳或它們的任何組合中的一者。
粘稠物可包含光致抗蝕劑、樹脂和聚合物材料。
用于晶圓對準的方法的實施方式可包括:提供具有第一側(cè)和第二側(cè)的晶圓,以及將晶圓背側(cè)涂層施加到晶圓的第二側(cè)。該方法還可包括在兩個或更多個預(yù)先確定的點處將粘稠物施加到背側(cè)涂層,以及將金屬層鍍覆在晶圓背側(cè)涂層上方和粘稠物周圍。該方法可包括移除粘稠物以暴露晶圓背側(cè)涂層,以及移除晶圓背側(cè)涂層以暴露晶圓中的多個對準特征結(jié)構(gòu)。
用于晶圓對準的方法的實施方式可包括以下各項中的一者、全部或任一者:
該方法還可包括使用紅外相機對準晶圓以及將晶圓分割成多個管芯。
施加粘稠物還可包括使用模版、馬達控制分配器或噴涂機中的一者。
金屬層可包含金、銅、鎳以及它們的任何組合中的一者。
粘稠物可包含光致抗蝕劑、樹脂或聚合物材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





