[發(fā)明專利]進氣系統(tǒng)和進氣方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010006830.0
• 申請日: 2020-01-03
• 公開（公告）號: CN111180365B
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發(fā)明（設計）人: 周厲穎
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

本發(fā)明公開了一種進氣系統(tǒng)和進氣方法。進氣系統(tǒng)包括載氣管路、工藝氣體源瓶、工藝氣體出氣管路、排氣管路以及保護組件；載氣管路的第一端用于與載氣源瓶連接，第二端與排氣管路的進氣端連接，第三端用于向工藝氣體源瓶中通入載氣，排氣管路的出氣端用于向尾氣處理裝置排放氣體；工藝氣體出氣管路的第一端插置在工藝氣體源瓶中，工藝氣體出氣管路的第二端與工藝腔室的進氣口連通；保護組件串接在載氣管路的第二端與排氣管路的進氣端之間，保護組件用于在載氣管路內(nèi)的壓力不小于工藝氣體源瓶的耐壓閾值時，將載氣管路與排氣管路導通，并發(fā)出報警提示。可以保證管路壓力不超過耐壓閾值，從而可以有效保護工藝氣體源瓶，保護工藝氣體不泄露。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種進氣系統(tǒng)以及一種進氣方法。

背景技術(shù)

在集成電路的制造過程中，一般需要在硅片表面生長氧化層以實現(xiàn)器件保護和隔離沾污、表面鈍化、摻雜中的注入掩蔽、金屬導電層間的介質(zhì)層等功能，二氧化硅具有良好的電絕緣性，化學性質(zhì)非常穩(wěn)定，是作為氧化層十分理想的材料。將硅暴露在通入高純氧的高溫氣氛里可以完成均勻氧化層的生長。在氧化工藝中，通常使用摻氯氧化工藝，在反應過程中帶入氯離子，能減少SiO₂中鈉離子沾污，提高器件的電性能和可靠性，可加快氧化速率，改善氧化層質(zhì)量。目前常用的摻氯氧化工藝中所用的含氯離子氣體為C₂H₂Cl₂(DCE，二氯乙烯)。

設備中常使用石英源瓶(Bubbler)灌裝DCE，維持溫度為20℃左右時DCE為穩(wěn)定液態(tài)。工藝時，常使用氮氣N₂作為載氣，通入裝有液態(tài)DCE的源瓶中帶出DCE并與氧氣混合后進入工藝腔室(TUBE)。在工藝過程中，N₂進入石英源瓶并帶出DCE的時候，由于石英源瓶耐壓性能有限，為防止過壓，要求進入石英源瓶的載氣壓力在一定值以下。

但是，現(xiàn)有技術(shù)中并不存在對石英源瓶進行保護的裝置，一旦當進入石英源瓶的載氣壓力過大，將會導致石英源瓶損壞，導致出現(xiàn)安全隱患。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種進氣系統(tǒng)以及一種進氣方法。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第一方面，提供了一種進氣系統(tǒng)，用于向半導體設備的工藝腔室輸送工藝氣體，所述進氣系統(tǒng)包括載氣管路、工藝氣體源瓶、工藝氣體出氣管路、排氣管路以及保護組件；其中，

所述載氣管路的第一端用于與載氣源瓶連接，所述載氣管路的第二端與所述排氣管路的進氣端連接，所述載氣管路的第三端用于向所述工藝氣體源瓶中通入載氣；所述排氣管路的出氣端用于向尾氣處理裝置排放氣體；

所述工藝氣體出氣管路的第一端插置在所述工藝氣體源瓶中，所述工藝氣體出氣管路的第二端與所述工藝腔室進氣口連通；

所述保護組件串接在所述載氣管路的第二端與所述排氣管路的進氣端之間，所述保護組件用于在所述載氣管路內(nèi)的壓力不小于所述工藝氣體源瓶的耐壓閾值時，將所述載氣管路與所述排氣管路導通，并發(fā)出報警提示。

可選地，所述保護組件包括單向?qū)土髁繖z測件；其中，

所述單向?qū)牡谝欢伺c所述載氣管路的第二端連接，所述單向?qū)牡诙伺c所述流量檢測件的第一端連接；

所述單向?qū)退隽髁繖z測件用于當所述載氣管路內(nèi)的壓力不小于所述工藝氣體源瓶的耐壓閾值時，將所述載氣管路與所述排氣管路導通，且所述流量檢測件用于在檢測其所在的管路有氣體流過時，發(fā)出報警信號。

可選地，所述單向?qū)榈谝粏蜗蜷y，所述第一單向閥的開啟壓力值等于所述工藝氣體源瓶的耐壓閾值。

可選地，所述進氣系統(tǒng)還包括輔助工藝氣體進氣管路；其中，