[發明專利]均值池化累加電路、裝置以及方法在審
| 申請號: | 202010006439.0 | 申請日: | 2020-01-03 |
| 公開(公告)號: | CN111191780A | 公開(公告)日: | 2020-05-22 |
| 發明(設計)人: | 鄭旭標 | 申請(專利權)人: | 珠海億智電子科技有限公司 |
| 主分類號: | G06N3/063 | 分類號: | G06N3/063 |
| 代理公司: | 廣州科粵專利商標代理有限公司 44001 | 代理人: | 鄧潮彬;黃培智 |
| 地址: | 519080 廣東省珠海市高新區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 均值 累加 電路 裝置 以及 方法 | ||
1.一種均值池化累加電路,其特征在于,包括雙端口緩存、寫控制電路、讀控制電路、MUX、加法電路、減法電路、輸出控制電路以及累加緩存器;
雙端口緩存,用于緩存當前周期的輸入特征數據;
寫控制電路,用于控制寫入特征數據到所述雙端口緩存;
讀控制電路,用于控制讀取所述雙端口緩存中已存儲的特征數據,以及控制MUX電路;
MUX,用于選擇所述雙端口緩存輸出的特征數據和填充數據;
加法電路,用于接收輸入控制單元每個時鐘周期輸入特征數據、減法電路的臨時結果以及將當前的特征數據輸入累加緩存器;
減法電路,用于實現所述MUX輸出的特征數據和累加緩存器之間的減法功能;
輸出控制單元,用于控制累加緩存器的有效輸出;
累加緩存器,用于緩存和輸出累加后的特征數據。
2.一種均值池化裝置,其特征在于,包括頂層控制電路、輸入控制電路、輸出控制電路、如權利要求1所述的均值池化累加電路、BLK單元控制電路以及均值除法電路,
頂層控制電路,用于與系統進行控制交互和均值池化內部電路的控制;
輸入控制電路,用于接收頂層控制的輸入特征數據尺寸和輸入數據地址,以及控制輸入外部存儲和在線模塊的特征數據;
輸出控制電路,用于接收頂層控制的輸出特征數據尺寸和輸入數據地址,以及控制輸出外部存儲和在線模塊的特征數據;
均值池化累加電路,用于獲取累加后的特征數據;
BLK單元控制電路,用于均值池化BLK分塊控制;
均值除法電路,配置精度范圍的查表程序,按照查表程序進行除法運算。
3.如權利要求2所述的均值池化裝置,其特征在于,所述均值池化累加電路存在兩個,其中一個進行第一維度累加,另一個進行第二維度累加。
4.一種均值池化方法,其特征在于,用于權利要求2或3所述的均值池化裝置,包括以下步驟:
步驟一,將輸入特征數據進行BLK分塊;
步驟二,內部緩存中定義兩個緩存陣列,按照乒乓操作的存儲策略將當前BLK分塊第一維度輸出累加結果存儲于其中一個緩存陣列中;
步驟三,讀取所述緩存陣列中第一維度的累加結果,進行第二維度的累加操作;
步驟四,所述第二維度累加結果輸出到均值除法電路,按SRAM查表的方式進行除法運算。
5.如權利要求4所述的均值池化方法,其特征在于,所述步驟一具體為:channel維度按照預設的cblk_size進行分塊,根據內部緩存尺寸,確定當前輸出BLK的尺寸為blk_wout*blk_hout*cblk_size,所述第一維度和第二維度按照blk_wout*blk_hout進行輸出分塊。
6.如權利要求4所述的均值池化方法,其特征在于,所述步驟二具體為:所述緩存陣列采用單端口SRAM,定義第一維度kh或kw個特征數據累加的數據位寬為d_size,每片SRAM的深度為blk_wout,同一個Wout中存儲連續的Hout累加數據個數定義為h_div,單片的SRAM的尺寸定義為:cblk_size*h_div*d_size*blk_wout。
7.如權利要求4所述的均值池化方法,其特征在于,所述步驟三具體為:按照所述第一維度存儲在所述緩存陣列累加數據的映射格式,每個時鐘周期t0~tn讀取cblk_size*h_div個特征數據進行所述第二維度均值累加運算,得到每個kw*kh的累加結果。
8.如權利要求4所述的均值池化方法,其特征在于,所述步驟四具體為:根據當前kernel(kw*kh)進行查表,查表范圍與當前池化裝置支持最大的kernel尺寸關聯。
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