[發明專利]發熱元件及其制備方法

在審

• 申請號: 202010005392.6
• 申請日: 2020-01-03
• 公開（公告）號: CN111165903A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 邱偉華;張程浩
• 申請（專利權）人: 常州市派騰電子技術服務有限公司
• 主分類號: A24F40/46
• 分類號: A24F40/46;A24F40/70;A24F40/10;F24F6/10;H05B3/02;H05B3/03;H05B3/10;H05B3/12;H05B3/20
• 代理公司: 常州智慧騰達專利代理事務所(普通合伙) 32328
• 代理人: 曹軍

1.一種發熱元件，其特征在于：所述發熱元件包括相互連接的基板和底板，所述基板上設置有至少兩個通孔，所述基板的至少部分外表面以及所述通孔的內壁上設置有鍍膜層，所述基板外表面的鍍膜層上設置有電極，所述底板上設置有凹槽，所述凹槽的內壁與所述基板共同圍合形成液體通道，所述液體通道與所述通孔流體連通。

2.如權利要求1所述的發熱元件，其特征在于：所述基板位于至少部分相鄰所述通孔之間的下表面上設置有鍍膜層和/或所述基板位于至少部分相鄰所述通孔之間的上表面上設置有鍍膜層。

3.如權利要求1所述的發熱元件，其特征在于：所述鍍膜層表面設置有鈍化保護層，位于所述基板外表面的所述鈍化保護層上設置有至少兩個空白區域，一個所述空白區域與一個所述電極一一對應，每個所述電極設置在對應的所述空白區域內。

4.如權利要求1所述的發熱元件，其特征在于：所述通孔的內壁與所述鍍膜層之間依次設置有絕緣層和種子層，所述基板的外表面與所述鍍膜層之間依次設置有絕緣層和種子層。

5.如權利要求1所述的發熱元件，其特征在于：所述鍍膜層的厚度為1～100μm。

6.如權利要求3所述的發熱元件，其特征在于：所述鈍化保護層的厚度為0.2～10μm。

7.如權利要求4所述的發熱元件，其特征在于：所述絕緣層的厚度為0.2～10μm。

8.如權利要求5所述的發熱元件，其特征在于：所述種子層的厚度為1μm以下。

9.如權利要求1所述的發熱元件，其特征在于：所述通孔的尺寸為1μm-10000μm。

10.如權利要求1所述的發熱元件，其特征在于：所述鍍膜層由銅、鎳、金、氧化銅或者氧化鎳中的一種或幾種材料制成。

11.一種如權利要求1-10任一項所述的發熱元件的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

S1：準備基板和底板，在所述基板上刻蝕至少兩個通孔，在所述底板上刻蝕凹槽；

S2：利用鍍膜工藝在每個所述通孔的內壁和所述基板的至少部分外表面設置鍍膜層；

S3：在所述基板表面的鍍膜層上設置電極；

S4：利用鍵合工藝將S3制得的所述基板與S1制得的所述底板鍵合，所述基板與所述凹槽的內壁共同圍合形成液體通道，所述液體通道與所述通孔流體連通，即得所述發熱元件。

12.如權利要求11所述的發熱元件的制備方法，其特征在于：在所述基板上表面的鍍膜層表面設置鈍化保護層，所述鈍化保護層上設置有兩個空白區域，兩個所述空白區域分別與兩個所述電極一一對應，每個所述電極設置在對應的所述空白區域內，所述電極由鋁、鉑、鈦、鎢或金中的任意一種或幾種材料制成。

13.如權利要求12所述的發熱元件的制備方法，其特征在于：所述通孔的內壁與所述鍍膜層之間依次設置有絕緣層和種子層，所述基板的外表面與所述鍍膜層之間依次設置有絕緣層和種子層，所述絕緣層由氧化硅、碳化硅或氮化硅中的任意一種或幾種化學性質穩定的電絕緣材料制成，所述鍍膜層由銅、鎳、金、氧化銅或者氧化鎳中的一種或幾種材料制成，所述鈍化保護層由氮化硅或氧化硅中的任意一種或兩種材料制成。