[發明專利]一種改善鍺單晶內應力及內部缺微陷的熱處理方法在審
| 申請號： | 202010005328.8 | 申請日： | 2020-01-03 |
| 公開（公告）號： | CN110952145A | 公開（公告）日： | 2020-04-03 |
| 發明（設計）人： | 韓帥民;崔丁方;李恒方;彭明清;子光平;楊康;李雙坐;張仕波;趙國燦;史桂平 | 申請（專利權）人： | 云南馳宏國際鍺業有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/02 | 分類號： | C30B33/02;C30B29/08 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 655099 云南省曲靖市翠峰西路*** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 鍺單晶 內應力 內部 缺微陷 熱處理 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種改善鍺單晶內應力及內部缺微陷的熱處理方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：將需要進行退火的鍺單晶截斷成合適的長度并標明編號放入爐中；
S2：按照設備操作規程，將爐子抽真空后再充入氬氣，然后重復兩次；第二次充入氬氣時，保持爐室內氬氣為常壓，氬氣持續通入一定的氣流量；單晶在氬氣氛圍中升溫；
S3：升溫與降溫過程包括：
S31：30min內，從室溫升溫至100℃；
S32：1h內，升溫至350℃；
S33：1h內，升溫至450℃；
S34：恒溫處理，在450℃條件下，恒溫持續10h；
S35：降溫階段，自然冷卻至25℃。
2.根據權利要求1所述的改善鍺單晶內應力及內部缺微陷的熱處理方法，其特征在于，在S35中，直徑5-60mm的單晶，5h內冷卻至25℃。
3.根據權利要求1所述的改善鍺單晶內應力及內部缺微陷的熱處理方法，其特征在于，在S35中，直徑60-150mm的單晶，8h內冷卻至25℃。
4.根據權利要求1所述的改善鍺單晶內應力及內部缺微陷的熱處理方法，其特征在于，在S35中，直徑大于等于160mm的單晶，12h內冷卻至25℃。
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