[發明專利]陣列基板、其制作方法及顯示面板

有效

• 申請號: 202010004913.6
• 申請日: 2020-01-03
• 公開（公告）號: CN111048532B
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 羅傳寶
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

本發明涉及顯示技術領域，公開了一種陣列基板、其制作方法及顯示面板，所述陣列基板的制作方法包括以下步驟：提供基板，并在所述基板上依次形成柵極、柵極絕緣層、有源層薄膜以及在所述柵極上方的圖案化刻蝕阻擋層；在所述刻蝕阻擋層上形成圖案化源漏極；以圖案化的所述源漏極為掩膜對所述有源層薄膜進行刻蝕以形成有源層，而使所述源漏極與所述有源層中遠離所述刻蝕阻擋層的外側邊緣，自我對準；以及，在所述源漏極上依次形成鈍化層和圖案化的像素電極，以形成所述陣列基板。本發明減少了一次掩膜工藝，簡化了工藝流程，避免了有源層形成過程中表面受損，降低有源層與ESL之間層界面缺陷，從而提升顯示面板的顯示品質。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板、其制作方法及顯示面板。

背景技術

目前，液晶顯示面板(LCD，Liquid Crystal Display)和電致發光(EL，electroluminescence)顯示面板等顯示裝置已廣泛地進入到人們的生活中。在這些顯示裝置中，薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)起著控制各像素開關的作用。其中金屬氧化物TFT因其具有大尺寸、高幀率處理能力和在可見光范圍內穿透率高等顯著優點，而在有源矩陣液晶顯示(AMLCD)和有源矩陣有機電致發光二極管(AMOLED)等領域具有廣闊的應用前景。

其中刻蝕阻擋型金屬氧化物TFT有刻蝕阻擋層(ESL)的保護，因而呈現出較好的穩定性，已實現量產。然而刻蝕阻擋型金屬氧化物TFT雖然避免了源/漏極背溝道刻蝕對有源層的損傷，但是所用Mask較多，且有源層與ESL層界面缺陷并未改善。

故如何避免有源層表面受損，降低有源層與ESL層界面缺陷，從而提升顯示裝置的顯示品質，是本領域技術人員亟待解決的技術問題。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明提供了一種陣列基板、其制作方法及顯示面板。

一方面，本發明提供了一種陣列基板的制作方法，所述方法包括以下步驟：

提供基板，并在所述基板上依次形成柵極、柵極絕緣層、有源層薄膜以及在所述柵極上方的圖案化刻蝕阻擋層；

在所述刻蝕阻擋層上形成圖案化源漏極；

以圖案化的所述源漏極為掩膜對所述有源層薄膜進行刻蝕以形成有源層，而使所述源漏極與所述有源層中遠離所述刻蝕阻擋層的外側邊緣，自我對準；以及，

在所述源漏極上依次形成鈍化層和圖案化的像素電極，以形成所述陣列基板。

根據本發明的一優選實施例，所述步驟還包括：形成所述柵極的同時，還形成第一電極。

根據本發明的一優選實施例，所述有源層薄膜的材料包括IGZO、IGZTO和IZO中的至少一種。

根據本發明的一優選實施例，所述步驟還包括：

在所述有源層薄膜上形成刻蝕阻擋層薄膜；

對所述刻蝕阻擋層薄膜進行圖案化以形成所述刻蝕阻擋層。

根據本發明的一優選實施例，所述步驟還包括：形成所述源漏極的同時，還形成第二電極。

根據本發明的一優選實施例，所述步驟還包括：

在所述源漏極上形成鈍化層薄膜；

對所述鈍化層薄膜進行圖案化處理，包括形成第一過孔和第二過孔，其中，所述第一過孔暴露漏極部分上表面，所述第二過孔暴露所述第一電極部分上表面；以及，

在鈍化層上形成像素電極薄膜，進行圖案化處理以形成斷續的所述像素電極，其中，所述像素電極通過第一過孔與所述漏極搭接，并通過所述第二過孔與所述第一電極搭接。

另一方面，本發明提供了一種陣列基板，包括：