[發(fā)明專利]陣列基板、其制作方法及顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010004913.6
• 申請日: 2020-01-03
• 公開（公告）號: CN111048532B
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅傳寶
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

提供基板，并在所述基板上依次形成柵極、第一電極、柵極絕緣層、有源層薄膜以及在所述柵極上方的圖案化刻蝕阻擋層，第一電極與所述柵極同層設(shè)置；

在所述刻蝕阻擋層上形成圖案化源漏極和第二電極，并保留所述源漏極上的光刻膠；

以所述光刻膠、圖案化的所述源漏極為掩膜對所述有源層薄膜進行刻蝕以形成有源層，并剝離所述光刻膠，而使所述源漏極與所述有源層中遠離所述刻蝕阻擋層的外側(cè)邊緣，自我對準(zhǔn)；以及，

在所述源漏極上形成鈍化層薄膜；

對所述鈍化層薄膜進行圖案化處理，包括形成第一過孔和第二過孔，其中，所述第一過孔暴露漏極部分上表面，所述第二過孔暴露所述第一電極部分上表面；以及，

在鈍化層上形成像素電極薄膜，進行圖案化處理以形成斷續(xù)的像素電極，其中，所述像素電極通過第一過孔與所述漏極搭接，并通過所述第二過孔與所述第一電極搭接，所述第一電極通過所述像素電極與所述第二電極形成電容，以形成所述陣列基板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述有源層薄膜的材料包括IGZO、IGZTO和IZO中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟還包括：

在所述有源層薄膜上形成刻蝕阻擋層薄膜；

對所述刻蝕阻擋層薄膜進行圖案化以形成所述刻蝕阻擋層。

4.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：

基板；

柵極，設(shè)置于所述基板上；

第一電極，設(shè)置于所述基板上；

柵極絕緣層，設(shè)置于所述基板上，并覆蓋所述柵極；

有源層，設(shè)置于所述柵極絕緣層上；

刻蝕阻擋層，設(shè)置于所述柵極 上方的所述有源層上；

第二電極，設(shè)置于所述有源層上；

源漏極，設(shè)置于所述刻蝕阻擋層上，并與所述有源層中遠離所述刻蝕阻擋層的外側(cè)邊緣，自我對準(zhǔn)；

鈍化層，設(shè)置于所述源漏極上，并覆蓋所述有源層和部分所述源漏極；以及，

像素電極，設(shè)置于所述鈍化層上；

所述鈍化層包括第一過孔和第二過孔，所述第一過孔暴露漏極部分上表面，所述第二過孔暴露所述第一電極部分上表面；

所述像素電極通過所述第一過孔與所述漏極搭接，并通過所述第二過孔與所述第一電極搭接；所述第一電極通過所述像素電極與所述第二電極形成電容。

5.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權(quán)利要求4所述的陣列基板。