[發明專利]減少由將導電材料退火所致的晶體生長

在審

• 申請號: 202010004726.8
• 申請日: 2020-01-03
• 公開（公告）號: CN111540708A
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: M·米洛耶維奇;J·A·斯邁思三世
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/67
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本發明描述與減少由將導電材料退火所致的晶體生長相關的系統、設備及方法。一種實例性設備包含導電材料，所述導電材料經選擇以具有由于退火而減小的電阻。穩定材料可形成在所述導電材料的表面上方。所述穩定材料可經選擇以具有以下性質，包含：穩定所述導電材料的所述減小的電阻；及減小在所述退火期間由所述導電材料再結晶所致的相對于所述表面的晶體生長的自由度。

技術領域

本發明大體來說涉及半導體裝置及方法，且更確切來說涉及減少由將導電材料退火所致的晶體生長。

背景技術

通常提供存儲器裝置作為計算機或其它電子裝置中的內部半導體集成電路。存在許多不同類型的存儲器，包含隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態隨機存取存儲器(DRAM)、靜態隨機存取存儲器(SRAM)、同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)、鐵電隨機存取存儲器(FeRAM)、磁性隨機存取存儲器(MRAM)及電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)及快閃存儲器以及其它存儲器。一些類型的存儲器裝置可以是非易失性存儲器(例如ReRAM)，且可用于需要高存儲器密度、高可靠性及低電力消耗的各種各樣的電子應用。易失性存儲器單元(例如，DRAM單元)需要電力來維持其所存儲的數據狀態(例如，經由刷新過程)，這與非易失性存儲器單元(例如，快閃存儲器單元)形成對比，非易失性存儲器單元在無電時仍能維持其所存儲的狀態。例如DRAM單元等各種易失性存儲器單元可比例如快閃存儲器單元等各種非易失性存儲器單元更快地操作(例如，編程、讀取、擦除等)。影響經由導電路徑的電及電子信號的傳導的條件也可影響各種類型的存儲器及電子裝置的操作。

發明內容

附圖說明

圖1展示根據本發明的若干個實施例包含導電材料的示例性結構配置的一些部分的橫截面圖以圖解說明在制作實例中導電材料上晶體生長的結果。

圖2圖解說明根據本發明的若干個實施例的另一材料的實例的橫截面圖，所述另一材料形成在晶體生長得以減少的導電材料的部分上方。

圖3是根據本發明的若干個實施例的減少由將導電材料退火所致的晶體生長的實例性方法的流程圖。

圖4是根據本發明的若干個實施例的用于減少由將導電材料退火所致的晶體生長的另一實例性方法的流程圖。

圖5是根據本發明的一或多個實施例的包含至少一個存儲器系統的計算系統的功能框圖。

圖6圖解說明根據本發明的若干個實施例的存儲器裝置的半導體結構的實例的一部分的橫截面圖，所述存儲器裝置包含存取線、感測線及電極。

圖7是根據本發明的若干個實施例的用于實施實例性半導體制作工藝的系統的功能框圖。

具體實施方式

各種類型的存儲器及電子裝置可具有導電路徑以使得能夠存取及控制各種組件。所述導電路徑可包含電極、存取線(例如，字線)及感測線(例如，位線)以及其它可能的導電路徑以傳導電及/或電子信號，例如指令及/或數據。可經由導電路徑存取的組件可包含控制電路系統、感測放大器、存儲器單元、晶體管及電容器以及其它可能的組件。各種類型的存儲器及電子裝置可具有形成為導電路徑的一部分(例如，形成在導電路徑內)的導電材料。