[發明專利]減少由將導電材料退火所致的晶體生長

在審

• 申請號: 202010004726.8
• 申請日: 2020-01-03
• 公開（公告）號: CN111540708A
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: M·米洛耶維奇;J·A·斯邁思三世
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/67
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種用于減少由退火所致的晶體生長的設備，其包括：

導電材料(106)，其經選擇以具有由于退火而減小的電阻；及

穩定材料(109)，其形成在所述導電材料的表面上方，其中所述穩定材料經選擇以具有以下性質，包括：

穩定所述導電材料的所述減小的電阻；及

減小在所述退火期間由所述導電材料再結晶所致的相對于所述表面的晶體生長的自由度。

2.根據權利要求1所述的設備，其中所述所選穩定材料的性質會減少電子散射以有助于所述穩定所述減小的電阻。

3.根據權利要求1所述的設備，其中所述所選穩定材料的性質會減少光子的產生以有助于所述穩定所述減小的電阻。

4.根據權利要求1所述的設備，其中：

所述導電材料由貴金屬形成；且

所述穩定材料由耐火金屬的氮化物形成。

5.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的設備，其中所述導電材料形成在從二(2.0)到五十(50)納米范圍內的厚度。

6.根據權利要求5所述的設備，其中所述穩定材料在所述表面上形成為厚度達一(1.0)納米或小于1.0納米的薄膜。

7.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的設備，其中所述導電材料用作半導體存儲器裝置(569、670)的存取線(672)、感測線(671)及電極中的至少一者。

8.一種用于減少由退火所致的晶體生長的方法，其包括：

在導電材料(106)的暴露表面(110)上形成穩定材料(109)；

將所述導電材料及所述穩定材料退火以減小所述導電材料的電阻；及

在所述退火期間由于存在所述所形成的穩定材料，因此減少所述導電材料朝向所述穩定材料的晶體生長，從而減小所述導電材料的所述先前暴露表面(110)上的粗糙度。

9.根據權利要求8所述的方法，其進一步包括由不同的材料形成所述導電材料與所述穩定材料。

10.根據權利要求8所述的方法，其進一步包括在所述退火期間在除朝向所述穩定材料之外的方向上通過所述導電材料再結晶來實現所述晶體生長，以有助于減小所述導電材料的電阻。

11.根據權利要求8到10中任一權利要求所述的方法，其進一步包括由于所述減少所述導電材料朝向所述穩定材料的晶體生長，因此減少所述穩定材料的一部分的隆起，從而減小所述穩定材料(119)的暴露表面(120)上的粗糙度。

12.根據權利要求8到10中任一權利要求所述的方法，其進一步包括在所述穩定材料的暴露表面上形成絕緣體材料(226)。

13.根據權利要求8到10中任一權利要求所述的方法，其進一步包括利用消減蝕刻工藝來形成所述導電材料及所述穩定材料以作為半導體存儲器裝置(569、670)的存取線(672)、感測線(671)及電極中的至少一者。

14.根據權利要求8到10中任一權利要求所述的方法，其進一步包括利用加成沉積工藝來形成所述導電材料及所述穩定材料以作為半導體存儲器裝置(569、670)的存取線(672)、感測線(671)及電極中的至少一者。