[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及程序在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010004631.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111668134A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 大橋直史;菊池俊之 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社國(guó)際電氣 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 楊宏軍 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 制造 方法 襯底 處理 裝置 程序 | ||
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及程序。目的在于,在連續(xù)對(duì)多個(gè)襯底進(jìn)行加熱處理的襯底處理裝置中,形成希望品質(zhì)的膜。提供下述技術(shù):將第m片(m<n)襯底搬入處理室,在處理室中對(duì)所述第m片襯底進(jìn)行加熱以形成膜,將第m片襯底從所述處理室搬出,然后,在處理室中沒(méi)有襯底的狀態(tài)下,使處理室中的處理待機(jī)規(guī)定時(shí)間,在待機(jī)后,向處理室搬入后續(xù)待處理的襯底,在處理室中對(duì)襯底進(jìn)行加熱以形成膜。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及程序。
背景技術(shù)
作為制造半導(dǎo)體器件的裝置,存在將襯底逐片處理的單片裝置(例如專利文獻(xiàn)1)。在單片裝置中,例如,對(duì)襯底進(jìn)行加熱,并且向襯底上供給氣體,從而形成構(gòu)成為半導(dǎo)體器件的一部分的膜。
在針對(duì)多個(gè)襯底形成相同種類的膜的情況下,希望抑制襯底間的處理?xiàng)l件的偏差。所謂處理?xiàng)l件,例如是襯底的加熱溫度。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2012-54399號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
在以單片裝置連續(xù)對(duì)多個(gè)襯底進(jìn)行加熱處理的情況下,存在根據(jù)連續(xù)處理的片數(shù)而使得處理室的溫度變高的情況。在一部分膜中,若規(guī)定溫度變高,則膜質(zhì)變化,因此可能會(huì)無(wú)法在襯底上形成希望品質(zhì)的膜。
本發(fā)明目的在于,在連續(xù)對(duì)多個(gè)襯底進(jìn)行加熱處理的襯底處理裝置中,形成希望品質(zhì)的膜。
用于解決課題的方案
提供下述技術(shù):將第m片(m<n)襯底搬入處理室,在處理室中對(duì)所述第m片襯底進(jìn)行加熱以形成膜,將第m片襯底從所述處理室搬出,然后,在處理室中沒(méi)有襯底的狀態(tài)下,使處理室內(nèi)的處理待機(jī)規(guī)定時(shí)間,在待機(jī)后,向處理室搬入后續(xù)待處理的襯底,在處理室中對(duì)襯底進(jìn)行加熱以形成膜。
發(fā)明效果
能夠在連續(xù)對(duì)多個(gè)襯底進(jìn)行加熱處理的襯底處理裝置中形成希望品質(zhì)的膜。
附圖說(shuō)明
圖1是說(shuō)明襯底處理裝置的說(shuō)明圖。
圖2是說(shuō)明襯底處理裝置的說(shuō)明圖。
圖3是說(shuō)明組件的說(shuō)明圖。
圖4是說(shuō)明氣體供給部的說(shuō)明圖。
圖5是說(shuō)明氣體供給部的說(shuō)明圖。
圖6是說(shuō)明氣體供給部的說(shuō)明圖。
圖7是說(shuō)明襯底處理裝置的控制器的說(shuō)明圖。
圖8是說(shuō)明襯底處理工序的流程圖。
圖9是說(shuō)明襯底的溫度與處理片數(shù)的關(guān)聯(lián)的說(shuō)明圖。
圖10是說(shuō)明在襯底上形成的膜的晶粒尺寸的說(shuō)明圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明
100…襯底、200…襯底處理裝置、201…處理室、213…加熱器、RC…反應(yīng)器、400…控制器
具體實(shí)施方式
以下,參照附圖說(shuō)明實(shí)施方式。
(1)襯底處理裝置的構(gòu)成
使用圖1至圖7說(shuō)明襯底處理裝置的構(gòu)成。
圖1、圖2是說(shuō)明襯底處理裝置的概略的說(shuō)明圖,圖3至圖6是說(shuō)明襯底處理裝置具有的處理組件的說(shuō)明圖。圖7是說(shuō)明襯底處理裝置的控制器的說(shuō)明圖。以下,具體地說(shuō)明各構(gòu)成。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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