[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及程序

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010004631.6
• 申請(qǐng)日: 2020-01-03
• 公開（公告）號(hào): CN111668134A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大橋直史;菊池俊之
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社國(guó)際電氣
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 楊宏軍

1.半導(dǎo)體器件的制造方法，其為將n片襯底作為一個(gè)批次進(jìn)行處理的半導(dǎo)體器件的制造方法，

所述制造方法具有下述工序：

將第m片(mn)襯底搬入處理室的工序；

在所述處理室中對(duì)所述第m片襯底進(jìn)行加熱以形成膜的工序；

將所述第m片襯底從所述處理室搬出的工序；

在所述搬出的工序后，在所述處理室中沒有所述襯底的狀態(tài)下，使所述處理室中的處理待機(jī)規(guī)定時(shí)間的工序；

在所述待機(jī)的工序后，向所述處理室搬入后續(xù)待處理的所述襯底的工序；和

在所述處理室中對(duì)所述后續(xù)的襯底進(jìn)行加熱以形成膜的工序。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

在形成所述膜的工序中，所述襯底由襯底載置臺(tái)具有的加熱部加熱，

在所述待機(jī)的工序中，所述襯底載置臺(tái)從所述處理室退避。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

所述規(guī)定時(shí)間是所述處理室的溫度變?yōu)榛鶞?zhǔn)溫度以下的時(shí)間。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

在使形成所述膜的工序重復(fù)規(guī)定片數(shù)后，轉(zhuǎn)入所述待機(jī)的工序。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

當(dāng)所述處理室的溫度超過基準(zhǔn)溫度后，轉(zhuǎn)入所述待機(jī)的工序。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

在所述待機(jī)的工序的期間，對(duì)所述處理室進(jìn)行冷卻。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

所述處理室設(shè)有多個(gè)，

向所述待機(jī)的工序的轉(zhuǎn)入在各所述處理室中分別進(jìn)行判斷。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

所述規(guī)定時(shí)間是所述處理室的溫度變?yōu)榛鶞?zhǔn)溫度以下的時(shí)間。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

在使形成所述膜的工序重復(fù)規(guī)定片數(shù)后，轉(zhuǎn)入所述待機(jī)的工序。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

在所述待機(jī)的工序的期間，對(duì)所述處理室進(jìn)行冷卻。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

所述處理室設(shè)有多個(gè)，

向所述待機(jī)的工序的轉(zhuǎn)入在各所述處理室中分別進(jìn)行判斷。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

在使形成所述膜的工序重復(fù)規(guī)定片數(shù)后，轉(zhuǎn)入所述待機(jī)的工序。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

在所述待機(jī)的工序的期間，對(duì)所述處理室進(jìn)行冷卻。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

所述處理室設(shè)有多個(gè)，

向所述待機(jī)的工序的轉(zhuǎn)入在各所述處理室中分別進(jìn)行判斷。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

在所述處理室的溫度超過基準(zhǔn)溫度后，轉(zhuǎn)入所述待機(jī)的工序。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

所述基準(zhǔn)溫度是形成于所述襯底的膜的晶粒尺寸達(dá)到規(guī)定尺寸以上的溫度。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

在所述待機(jī)的工序的期間，對(duì)所述處理室進(jìn)行冷卻。