[發明專利]一種大尺寸硅片熱氧工藝

在審

• 申請號: 202010003639.0
• 申請日: 2020-01-03
• 公開（公告）號: CN113078236A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 何秋霞;朱軍;楊韋;馬擎天
• 申請（專利權）人: 環晟光伏（江蘇）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/028;H01L31/04
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

本發明提供一種大尺寸硅片熱氧工藝，包括以下步驟，在氧化爐待機時，設定爐口至爐尾的待機溫度；進舟后，進行升溫；進行穩定溫度，便于硅片氧化；進行硅片氧化，形成氧化層；降溫出爐。本發明的有益效果是應用于硅片的氧化時使用，對硅片進行氧化，減少硅片中心與邊緣溫差，改善氧化時溫度差異，提高表面鈍化效果，提高電池片轉換效率。

技術領域

本發明屬于太陽能電池制備技術領域，尤其是涉及一種大尺寸硅片熱氧工藝。

背景技術

目前，太陽能電池片制造業中，熱氧為制作SIO2層，主要為表面鈍化及抗PID。大尺寸的硅片大大降低了電池制造的成本，但管式熱處理隨著硅片尺寸的增大，制作過程中均勻性不可控，表面度化效果不好，電池片轉換效率低。

發明內容

鑒于上述問題，本發明要解決的問題是提供一種大尺寸硅片熱氧工藝，應用于硅片的氧化時使用，對硅片進行氧化，減少硅片中心與邊緣溫差，改善氧化時溫度差異，提高表面鈍化效果，提高電池片轉換效率。

為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案是：一種大尺寸硅片熱氧工藝，包括以下步驟，

在氧化爐待機時，設定爐口至爐尾的待機溫度；

進舟后，進行升溫；

進行穩定溫度，便于硅片氧化；

進行硅片氧化，形成氧化層；

降溫出爐。

進一步的，設定爐口至爐尾的待機溫度步驟中，設定爐口至爐尾的各個溫區間的溫度，各個溫區間包括沿著從爐口至爐尾依次設置的第一溫區間、第二溫區間、第三溫區間、第四溫區間和第五溫區間。

進一步的，第一溫區間設定的溫度為790-810℃，第二溫區間設定的溫度為770-790℃，第三溫區間設定的溫度為740-760℃，第四溫區間設定的溫度為710-730℃，第五溫區間設定的溫度為690-710℃。

進一步的，進行升溫步驟中，將氧化爐溫度升溫至氧化溫度，并通入氮氣，設定升溫時間。

進一步的，進行升溫步驟中，氧化溫度為700-740℃，升溫時間為8-12min，氮氣流量為8-12slm。

進一步的，進行穩定溫度步驟中，按照氧化溫度維持氧化爐溫度，并通入氮氣，設定維持時間。

進一步的，進行穩定溫度步驟中，氮氣流量為8-12slm，維持時間為1-3min。

進一步的，進行硅片氧化步驟中，按照氧化溫度維持氧化爐溫度，并通入氮氣和氧氣，設定氧化時間。

進一步的，進行硅片氧化步驟中，氮氣流量為7-9slm，氧氣流量為1-3slm，氧化時間為10-15min。

進一步的，降溫出爐步驟中，將氧化爐溫度降低至出爐溫度，進行出舟，出爐溫度為680-720℃。

由于采用上述技術方案，在氧化爐待機時設定爐管各個溫區間的待機溫度，減少爐溫各個溫區間的差異，減少硅片中心與邊緣的溫差，并進行溫度維持，便于對硅片進行氧化，氧化時的溫度差異小，硅片氧化均勻性好，氧化膜層均勻，提高表面鈍化效果，減少硅片之間的差異，提高電池片轉化效率。

附圖說明

圖1是現有技術中進出舟時各溫區間溫度差異示意圖；

圖2是本發明一實施例的進出舟時各溫區間溫度差異示意圖。

圖中：

1、碳化硅槳 2、爐門 3、硅片

4、石英舟 5、各溫區間溫度 6、氧化爐管