[發(fā)明專利]一種大尺寸硅片熱氧工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010003639.0
• 申請(qǐng)日: 2020-01-03
• 公開（公告）號(hào): CN113078236A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何秋霞;朱軍;楊韋;馬擎天
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 環(huán)晟光伏（江蘇）有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/028;H01L31/04
• 代理公司: 天津諾德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

1.一種大尺寸硅片熱氧工藝，其特征在于：包括以下步驟，

在氧化爐待機(jī)時(shí)，設(shè)定爐口至爐尾的待機(jī)溫度；

進(jìn)舟后，進(jìn)行升溫；

進(jìn)行穩(wěn)定溫度，便于硅片氧化；

進(jìn)行硅片氧化，形成氧化層；

降溫出爐。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大尺寸硅片熱氧工藝，其特征在于：所述設(shè)定爐口至爐尾的待機(jī)溫度步驟中，設(shè)定爐口至爐尾的各個(gè)溫區(qū)間的溫度，所述各個(gè)溫區(qū)間包括沿著從爐口至爐尾依次設(shè)置的第一溫區(qū)間、第二溫區(qū)間、第三溫區(qū)間、第四溫區(qū)間和第五溫區(qū)間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的大尺寸硅片熱氧工藝，其特征在于：所述第一溫區(qū)間設(shè)定的溫度為790-810℃，所述第二溫區(qū)間設(shè)定的溫度為770-790℃，所述第三溫區(qū)間設(shè)定的溫度為740-760℃，所述第四溫區(qū)間設(shè)定的溫度為710-730℃，所述第五溫區(qū)間設(shè)定的溫度為690-710℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的大尺寸硅片熱氧工藝，其特征在于：所述進(jìn)行升溫步驟中，將氧化爐溫度升溫至氧化溫度，并通入氮?dú)猓O(shè)定升溫時(shí)間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的大尺寸硅片熱氧工藝，其特征在于：所述進(jìn)行升溫步驟中，所述氧化溫度為700-740℃，所述升溫時(shí)間為8-12min，所述氮?dú)饬髁繛?-12slm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的大尺寸硅片熱氧工藝，其特征在于：所述進(jìn)行穩(wěn)定溫度步驟中，按照所述氧化溫度維持所述氧化爐溫度，并通入氮?dú)猓O(shè)定維持時(shí)間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的大尺寸硅片熱氧工藝，其特征在于：所述進(jìn)行穩(wěn)定溫度步驟中，所述氮?dú)饬髁繛?-12slm，所述維持時(shí)間為1-3min。

8.根據(jù)權(quán)利要求5-7任一項(xiàng)所述的大尺寸硅片熱氧工藝，其特征在于：所述進(jìn)行硅片氧化步驟中，按照所述氧化溫度維持所述氧化爐溫度，并通入氮?dú)夂脱鯕猓O(shè)定氧化時(shí)間。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的大尺寸硅片熱氧工藝，其特征在于：所述進(jìn)行硅片氧化步驟中，所述氮?dú)饬髁繛?-9slm，所述氧氣流量為1-3slm，所述氧化時(shí)間為10-15min。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的大尺寸硅片熱氧工藝，其特征在于：所述降溫出爐步驟中，將所述氧化爐溫度降低至出爐溫度，進(jìn)行出舟，所述出爐溫度為680-720℃。