[發(fā)明專利]一種沉積裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010002909.6
• 申請日: 2020-01-02
• 公開（公告）號: CN111139458A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王新勝;詹昶;徐乾坤
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C23C16/50
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 高潔;張穎玲

本申請實施例提供了一種沉積裝置，所述裝置包括：反應(yīng)腔及設(shè)置在所述反應(yīng)腔內(nèi)的晶圓主支撐部和晶圓輔支撐部；其中，所述晶圓主支撐部用于在所述沉積裝置執(zhí)行沉積作業(yè)時承載晶圓，并對晶圓進行加熱；所述晶圓主支撐部通過在所述晶圓輔支撐部的下方進行上下移動及沿中心軸轉(zhuǎn)動，以在再次承載所述晶圓時提供與晶圓接觸面發(fā)生轉(zhuǎn)動的相對位置；所述晶圓輔支撐部用于在以下時刻承載所述晶圓：在所述晶圓主支撐部在所述晶圓輔支撐部的下方進行移動和/或轉(zhuǎn)動時。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種沉積裝置。

背景技術(shù)

沉積技術(shù)是半導(dǎo)體制程工藝中的一個非常重要的技術(shù)。其中，等離子體增強化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)，其可用于沉積大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。

在3D NAND存儲器的制備工藝中，利用PECVD方法沉積的薄膜越來越厚，如一氧化氮疊堆(NO stack)、厚四乙基正硅酸鹽(thick TEOS)和硬掩膜碳(HM carbon)等，同時對薄膜均勻度要求也越來越高。僅僅通過PECVD中的噴頭(shower head)和加熱器(heater)的工藝改進無法做到使薄膜完全均勻，而隨著薄膜厚度的增加，不均勻度不可避免的越來越大。

現(xiàn)有技術(shù)中通常會采用多次沉積的方式來改善薄膜的均勻度，每次沉積時，需要將晶圓從沉積裝置的反應(yīng)腔中取出，將晶圓旋轉(zhuǎn)一定角度后再放入反應(yīng)腔并放置在加熱器上，以改變晶圓與加熱器之間的相對位置，從而改善沉積薄膜的均勻度。然而，晶圓每次進出反應(yīng)腔都需要進行清潔，從而導(dǎo)致沉積的工藝周期過長，且每小時出片量(wafer perhour，WPH)大大降低。

發(fā)明內(nèi)容

本申請實施例為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的至少一個問題而提供一種沉積裝置。

為達到上述目的，本申請實施例的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的：

第一方面，本申請實施例提供一種沉積裝置，所述裝置包括：反應(yīng)腔及設(shè)置在所述反應(yīng)腔內(nèi)的晶圓主支撐部和晶圓輔支撐部；其中，

所述晶圓主支撐部用于在所述沉積裝置執(zhí)行沉積作業(yè)時承載晶圓，并對晶圓進行加熱；

所述晶圓主支撐部通過在所述晶圓輔支撐部的下方進行上下移動及沿中心軸轉(zhuǎn)動，以在再次承載所述晶圓時提供與晶圓接觸面發(fā)生轉(zhuǎn)動的相對位置；

所述晶圓輔支撐部用于在以下時刻承載所述晶圓：在所述晶圓主支撐部在所述晶圓輔支撐部的下方進行移動和/或轉(zhuǎn)動時。

在一種可選的實施方式中，所述晶圓主支撐部具有在承載晶圓時與晶圓接觸的圓形接觸面；

所述晶圓輔支撐部具有在承載晶圓時與晶圓接觸的多個分離設(shè)置的接觸部；

所述圓形接觸面內(nèi)具有容納所述接觸部的缺口。

在一種可選的實施方式中，所述晶圓輔支撐部還具有環(huán)形連接部；

所述環(huán)形連接部位于所述接觸部與晶圓接觸的遠端，所述環(huán)形連接部與多個所述接觸部固定連接。

在一種可選的實施方式中，所述晶圓輔支撐部上的所述接觸部的數(shù)量為3個以上，相鄰兩接觸部之間的夾角相同。

在一種可選的實施方式中，所述晶圓主支撐部具有在承載晶圓時與晶圓接觸的圓形接觸面；

所述晶圓輔支撐部具有在承載晶圓時與晶圓接觸的環(huán)形接觸部；

所述圓形接觸面外圍設(shè)置有容納所述環(huán)形接觸部的容納槽。

在一種可選的實施方式中，所述晶圓主支撐部還具有加熱組件，所述加熱組件位于所述圓形接觸面以及所述容納槽的下方。