[發(fā)明專利]顯示面板的制備方法和顯示面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010002177.0 | 申請日: | 2020-01-02 |
| 公開(公告)號: | CN111092055B | 公開(公告)日: | 2022-06-28 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉紅林;李如龍;蔣際君;習王鋒;張金方 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/84 | 分類號: | H01L21/84;H01L27/12;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京遠智匯知識產(chǎn)權代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種顯示面板的制備方法和顯示面板。所述顯示面板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū),所述非顯示區(qū)包括彎折區(qū)和平坦區(qū),所述彎折區(qū)位于所述顯示區(qū)與所述平坦區(qū)之間;所述制備方法包括:在所述非顯示區(qū)形成第一絕緣層;形成覆蓋所述第一絕緣層的金屬層;圖案化所述金屬層形成信號線;形成覆蓋所述信號線以及所述第一絕緣層的第二絕緣層;刻蝕掉所述彎折區(qū)中位于所述信號線之間的第二絕緣層和至少部分第一絕緣層,保留位于所述平坦區(qū)的第二絕緣層。本發(fā)明實施例能夠提高顯示面板的使用壽命。
技術領域
本發(fā)明實施例涉及顯示技術,尤其涉及一種顯示面板的制備方法及顯示面板。
背景技術
隨著顯示技術的發(fā)展,顯示面板的應用也越來越廣泛,相應的對顯示面板的要求也越來越高。然而,現(xiàn)有顯示面板的使用壽命較短。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種顯示面板的制備方法和顯示面板,以提高顯示面板的使用壽命。
第一方面,本發(fā)明實施例提供了一種顯示面板的制備方法,所述顯示面板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū),所述非顯示區(qū)包括彎折區(qū)和平坦區(qū),所述彎折區(qū)位于所述顯示區(qū)與所述平坦區(qū)之間;所述制備方法包括:在所述非顯示區(qū)形成第一絕緣層;形成覆蓋所述第一絕緣層的金屬層;圖案化所述金屬層形成信號線;形成覆蓋所述信號線以及所述第一絕緣層的第二絕緣層;刻蝕掉所述彎折區(qū)中位于所述信號線之間的第二絕緣層和至少部分第一絕緣層,保留位于所述平坦區(qū)的第二絕緣層。
可選地,刻蝕掉所述彎折區(qū)中位于所述信號線之間的第二絕緣層和至少部分第一絕緣層包括:刻蝕掉所述彎折區(qū)中位于所述信號線之間的第二絕緣層;刻蝕掉所述彎折區(qū)中位于所述信號線之間的至少部分第一絕緣層。
可選地,刻蝕掉所述彎折區(qū)中位于所述信號線之間的第一絕緣層和所述第二絕緣層包括:對所述彎折區(qū)中位于所述信號線之間的第二絕緣層進行過刻,以刻蝕掉所述彎折區(qū)中位于所述信號線之間的第二絕緣層和至少部分第一絕緣層。
可選地,刻蝕掉所述彎折區(qū)中位于所述信號線之間的第二絕緣層時還包括:刻蝕掉所述彎折區(qū)中位于所述信號線上的第二絕緣層。
可選地,所述制備方法包括:在基底位于所述顯示區(qū)的部分上依次形成緩沖層,薄膜晶體管以及第三絕緣層;其中,所述第三絕緣層與所述第二絕緣層在同一工藝中形成。
可選地,所述基底包括所述第一絕緣層,或者所述第一絕緣層與所述薄膜晶體管中的柵極絕緣層在同一工藝中形成。
可選地,所述基底包括有機層與無機層的疊層結(jié)構。
可選地,所述信號線包括電源信號線。
可選地,所述第二絕緣層包括氧化硅和氮化硅的疊層結(jié)構。
第二方面,本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板,由第一方面所述的制備方法制備。
本發(fā)明采用的顯示面板的制備方法包括:顯示面板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū),非顯示區(qū)包括彎折區(qū)和平坦區(qū),在非顯示區(qū)形成第一絕緣層;形成覆蓋第一絕緣層的金屬層;圖案化金屬層形成信號線;形成覆蓋信號線及第一絕緣層的第二絕緣層;刻蝕掉彎折區(qū)中位于信號線之間的第一絕緣層和第二絕緣層,保留位于平坦區(qū)的第二絕緣層。在對彎折區(qū)的第一絕緣層進行刻蝕時,平坦區(qū)的第二絕緣層能夠有效地保護平坦區(qū)的信號線,減小平坦區(qū)的信號線在黃光顯影以及剝離液剝離時被腐蝕的風險,從而提高信號線的良率,進而提高顯示面板的良率,延長顯示面板的使用壽命。
附圖說明
圖1為本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的制備方法的流程圖;
圖2為本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的結(jié)構示意圖;
圖3-圖18為本發(fā)明實施例提供的顯示面板的主要制備方法對應形成的結(jié)構示意圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





