[發明專利]顯示面板的制備方法和顯示面板有效
| 申請號: | 202010002177.0 | 申請日: | 2020-01-02 |
| 公開(公告)號: | CN111092055B | 公開(公告)日: | 2022-06-28 |
| 發明(設計)人: | 劉紅林;李如龍;蔣際君;習王鋒;張金方 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/84 | 分類號: | H01L21/84;H01L27/12;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 制備 方法 | ||
1.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,所述顯示面板包括顯示區和非顯示區,所述非顯示區包括彎折區和平坦區,所述彎折區位于所述顯示區與所述平坦區之間;
所述制備方法包括:
在所述非顯示區形成第一絕緣層;
形成覆蓋所述第一絕緣層的金屬層;
圖案化所述金屬層形成信號線;
形成覆蓋所述信號線以及所述第一絕緣層的第二絕緣層;
刻蝕掉所述彎折區中位于所述信號線之間的第二絕緣層和至少部分第一絕緣層,保留位于所述平坦區的第二絕緣層。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,
刻蝕掉所述彎折區中位于所述信號線之間的第二絕緣層和至少部分第一絕緣層包括:
刻蝕掉所述彎折區中位于所述信號線之間的第二絕緣層;
刻蝕掉所述彎折區中位于所述信號線之間的至少部分第一絕緣層。
3.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,刻蝕掉所述彎折區中位于所述信號線之間的第一絕緣層和所述第二絕緣層包括:
對所述彎折區中位于所述信號線之間的第二絕緣層進行過刻,以刻蝕掉所述彎折區中位于所述信號線之間的第二絕緣層和至少部分第一絕緣層。
4.根據權利要求2或3所述的制備方法,其特征在于,刻蝕掉所述彎折區中位于所述信號線之間的第二絕緣層時還包括:
刻蝕掉所述彎折區中位于所述信號線上的第二絕緣層。
5.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,
所述制備方法包括:
在基底位于所述顯示區的部分上依次形成緩沖層,薄膜晶體管以及第三絕緣層;其中,所述第三絕緣層與所述第二絕緣層在同一工藝中形成。
6.根據權利要求5所述的制備方法,其特征在于,
所述基底包括所述第一絕緣層,或者所述第一絕緣層與所述薄膜晶體管中的柵極絕緣層在同一工藝中形成。
7.根據權利要求5所述的制備方法,其特征在于,
所述基底包括有機層與無機層的疊層結構。
8.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述信號線包括電源信號線。
9.根據權利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述第二絕緣層包括氧化硅和氮化硅的疊層結構。
10.一種顯示面板,其特征在于,由權利要求1-9任一項所述的制備方法制備。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





