[發(fā)明專(zhuān)利]陣列基板、其制作方法及雙面顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010001844.3
• 申請(qǐng)日: 2020-01-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111180492A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田雪雁
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/32
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/32
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 張?bào)銓?/td>

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種陣列基板、其制作方法及雙面顯示裝置。該陣列基板包括多個(gè)第一區(qū)域和多個(gè)第二區(qū)域，第一區(qū)域包括第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和與第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管電連接的第一發(fā)光單元，第二區(qū)域包括第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和與第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管電連接的第二發(fā)光單元；第一發(fā)光單元為頂發(fā)射有機(jī)發(fā)光二極管，第二發(fā)光單元為雙面發(fā)光有機(jī)發(fā)光二極管；第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的溝道的寬長(zhǎng)比大于第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的溝道的寬長(zhǎng)比。本實(shí)施例能夠改善雙面顯示裝置的主顯示面亮度不均的問(wèn)題，同時(shí)提升副顯示面的顯示亮度。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，本申請(qǐng)涉及一種陣列基板、其制作方法及雙面顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，人們對(duì)顯示裝置的要求越來(lái)越多，例如，雙面顯示裝置已成為發(fā)展趨勢(shì)之一。

目前的雙面顯示裝置多是由兩塊顯示屏組成，成本較高，顯示裝置的厚度也難以減薄，比較厚重。

一些OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示屏能夠?qū)崿F(xiàn)雙面顯示，以使顯示裝置的成本降低、厚度減薄，但OLED雙面顯示屏的主出光面顯示亮度的均一性較差。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)針對(duì)現(xiàn)有方式的缺點(diǎn)，提出一種陣列基板、其制作方法及雙面顯示裝置，能夠?qū)崿F(xiàn)雙面顯示，用以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的雙面OLED顯示屏的主顯示面顯示亮度的均一性較差的技術(shù)問(wèn)題。

第一個(gè)方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括多個(gè)第一區(qū)域和多個(gè)第二區(qū)域，所述第一區(qū)域包括第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和與所述第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管電連接的第一發(fā)光單元，所述第二區(qū)域包括第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和與所述第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管電連接的第二發(fā)光單元；

所述第一發(fā)光單元為頂發(fā)射有機(jī)發(fā)光二極管，所述第二發(fā)光單元為雙面發(fā)光有機(jī)發(fā)光二極管；

所述第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的溝道的寬長(zhǎng)比大于所述第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的溝道的寬長(zhǎng)比。

可選地，所述陣列基板包括：

有源層，包括多個(gè)位于所述第一區(qū)域的第一有源島和多個(gè)位于所述第二區(qū)域的第二有源島，所述第一有源島的材料包括溫多晶硅和/或銦鎵鋅氧化物，所述第二有源島的材料包括溫多晶硅和/或銦鎵鋅氧化物；

柵極層，位于所述有源層上，包括多個(gè)位于所述第一區(qū)域的第一柵極和多個(gè)位于所述第二區(qū)域的第二柵極；

絕緣層，覆蓋所述柵極層，所述絕緣層上設(shè)置有多個(gè)貫穿所述絕緣層的第一過(guò)孔；

源漏電極層，位于絕緣層所述上，且包括位于所述第一區(qū)域的多個(gè)第一源極和多個(gè)第一漏極，以及位于所述第二區(qū)域的多個(gè)第二源極和多個(gè)第二漏極，所述第一源極和所述第一漏極分別通過(guò)相應(yīng)的所述第一過(guò)孔與所述第一有源島連接，所述第二源極和所述第二漏極分別通過(guò)相應(yīng)的所述第一過(guò)孔與所述第二有源島連接；

其中，第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括第一有源島、第一柵極、第一源極和第二漏極，第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管包括第二有源島、第二柵極、第二源極和第二漏極。

可選地，所述第一發(fā)光單元包括第一陽(yáng)極，所述第一陽(yáng)極的材料包括透明導(dǎo)電膜層和反射金屬層，所述第二發(fā)光單元包括第二陽(yáng)極，所述第二陽(yáng)極的材料包括透明導(dǎo)電薄膜。

可選地，所述第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的溝道的寬長(zhǎng)比是所述第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的溝道的寬長(zhǎng)比的5-20倍。

可選地，所述第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的溝道寬為3微米，長(zhǎng)為30微米，所述第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的溝道寬為3微米，長(zhǎng)為3微米；或者

所述第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的溝道寬為2微米，長(zhǎng)為20微米，所述第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的溝道寬為4微米，長(zhǎng)為4微米；或者