[發明專利]陣列基板、其制作方法及雙面顯示裝置

在審

• 申請號: 202010001844.3
• 申請日: 2020-01-02
• 公開（公告）號: CN111180492A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 田雪雁
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 張筱寧

1.一種陣列基板，其特征在于，包括多個第一區域和多個第二區域，所述第一區域包括第一驅動薄膜晶體管和與所述第一驅動薄膜晶體管電連接的第一發光單元，所述第二區域包括第二驅動薄膜晶體管和與所述第二驅動薄膜晶體管電連接的第二發光單元；

所述第一發光單元為頂發射有機發光二極管，所述第二發光單元為雙面發光有機發光二極管；

所述第二驅動薄膜晶體管的溝道的寬長比大于所述第一驅動薄膜晶體管的溝道的寬長比。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，包括：

有源層，包括多個位于所述第一區域的第一有源島和多個位于所述第二區域的第二有源島，所述第一有源島的材料包括溫多晶硅和/或銦鎵鋅氧化物，所述第二有源島的材料包括溫多晶硅和/或銦鎵鋅氧化物；

柵極層，位于所述有源層上，包括多個位于所述第一區域的第一柵極和多個位于所述第二區域的第二柵極；

絕緣層，覆蓋所述柵極層，所述絕緣層上設置有多個貫穿所述絕緣層的第一過孔；

源漏電極層，位于絕緣層所述上，且包括位于所述第一區域的多個第一源極和多個第一漏極，以及位于所述第二區域的多個第二源極和多個第二漏極，所述第一源極和所述第一漏極分別通過相應的所述第一過孔與所述第一有源島連接，所述第二源極和所述第二漏極分別通過相應的所述第一過孔與所述第二有源島連接；

其中，第一驅動薄膜晶體管包括第一有源島、第一柵極、第一源極和第二漏極，第二驅動薄膜晶體管包括第二有源島、第二柵極、第二源極和第二漏極。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一發光單元包括第一陽極，所述第一陽極的材料包括透明導電膜層和反射金屬層，所述第二發光單元包括第二陽極，所述第二陽極的材料包括透明導電薄膜。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述第二驅動薄膜晶體管的溝道的寬長比是所述第一驅動薄膜晶體管的溝道的寬長比的5-20倍。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一驅動薄膜晶體管的溝道寬為3微米，長為30微米，所述第二驅動薄膜晶體管的溝道寬為3微米，長為3微米；或者

所述第一驅動薄膜晶體管的溝道寬為2微米，長為20微米，所述第二驅動薄膜晶體管的溝道寬為4微米，長為4微米；或者

所述第一驅動薄膜晶體管的溝道寬為3微米，長為22.5微米，所述第二驅動薄膜晶體管的溝道寬為2.5微米，長為3微米。

6.一種雙面顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-5中任一項所述的陣列基板。

7.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底包括多個第一區域和多個第二區域；

在所述襯底的第一區域制作第一驅動薄膜晶體管，在所述襯底的第二區域制作第二驅動薄膜晶體管，所述第二驅動薄膜晶體管的寬長比大于所述第一驅動薄膜晶體管的寬長比；

在所述襯底的第一區域制作第一發光單元，在所述襯底的第二區域制作第二發光單元，所述第一發光單元為頂發射有機發光二極管，所述第二發光單元為雙面發光有機發光二極管。